NXP Semiconductors
BLT81,115
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管类型 Bipolar Power、类型 RF Bipolar Power、晶体管极性 NPN、最大集电极－发射极电压（VCEO） 9.5 V、发射极－基极电压（VEBO） 2.5 V，采用 SOT-223 封装。
基本资料
查看数据手册 ↗- 制造商
- NXP
- 品牌
- NXP Semiconductors
- 产品类别
- 晶体管
- 封装
- SOT-223
- 安装方式
- 表面贴装（SMD/SMT）
- 包装方式
- 剪切带
- RoHS
- 符合（来源记录）
技术参数
17 项参数- 晶体管类型
- Bipolar Power
- 技术
- Si
- 晶体管极性
- NPN
- 最大集电极－发射极电压（VCEO）
- 9.5 V
- 发射极－基极电压（VEBO）
- 2.5 V
- 工作温度范围
- -65～150 °C
- 配置
- Single
- 集电极－基极电压（VCBO）
- 20 V
- 最大直流电流增益（hFE）
- 25
- 高度
- 1.7 mm
- 长度
- 6.7 mm
- 类型
- RF Bipolar Power
展开更多参数（5 项）
- 宽度
- 3.7 mm
- 最大直流集电极电流
- 0.5 A
- 耗散功率（Pd）
- 2000 mW
- 型号别名
- 934019790115
- 单件重量
- 0.003527 oz
技术资料与历史库存、参考价供核对使用；当前供货、报价及交期请询价确认，参数相近不代表可直接替代。