HFA3096BZ96
Renesas / Intersil · 封装：SOIC-Narrow-16
该型号为晶体管，主要参数包括工作频率 8 GHz, 5.5 GHz、技术 Si、晶体管类型 Bipolar、类型 RF Bipolar Small Signal、晶体管极性 NPN/PNP、最小直流电流增益（hfe） 40，采用 SOIC-Narrow-16 封装。射频与无线
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型号列表
20,447 条型号记录HFA3127RZ
Renesas / Intersil · 封装：QFN EP
该型号为晶体管，主要参数包括工作频率 8000 MHz (Typ)、技术 Si、晶体管类型 Bipolar、类型 RF Bipolar Small Signal、晶体管极性 NPN、最小直流电流增益（hfe） 40，采用 QFN EP 封装。BFP540ESDH6327XTSA1
Infineon Technologies · 封装：SOT-343-4
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、型号别名 540ESD BFP BFP54ESDH6327XT H6327 SP000745298、单件重量 0.000244 oz，采用 SOT-343-4 封装。BFU550R
NXP Semiconductors · 封装：SOT143B-4
该型号为晶体管，主要参数包括工作温度范围 - 40 C to + 150 C、工作频率 900 MHz、技术 Si、晶体管类型 Bipolar Wideband、类型 Wideband RF Transistor、晶体管极性 NPN，采用 SOT143B-4 封装。HFA3102BZ
Renesas / Intersil · 封装：SOIC-14
该型号为晶体管，主要参数包括工作频率 10000 MHz (Typ)、技术 Si、晶体管类型 Bipolar、类型 RF Bipolar Small Signal、晶体管极性 NPN、最小直流电流增益（hfe） 40，采用 SOIC-14 封装。BFR843EL3E6327XTSA1
Infineon Technologies · 封装：TSLP-3
该型号为晶体管，主要参数包括工作频率 12 GHz、技术 SiGe、晶体管类型 Bipolar、晶体管极性 NPN、最小直流电流增益（hfe） 230、最大集电极－发射极电压（VCEO） 2.25 V，采用 TSLP-3 封装。BFP 183W H6327
Infineon Technologies
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管类型 Bipolar、类型 RF Bipolar Small Signal、型号别名 BFP183WH6327XT BFP183WH6327XTSA1 SP000745244、单件重量 0.000236 oz。2SC5086-O,LF
Toshiba · 封装：SC-75-3
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、最小直流电流增益（hfe） 80、最大集电极－发射极电压（VCEO） 12 V、发射极－基极电压（VEBO） 3 V、最小工作温度 - 55 C，采用 SC-75-3 封装。MRF10120
MACOM · 封装：355C-2
该型号为晶体管，主要参数包括工作频率 1.215 GHz、技术 Si、晶体管类型 Bipolar Power、类型 RF Bipolar Power、晶体管极性 NPN、最小直流电流增益（hfe） 20，采用 355C-2 封装。PH2729-25M
MACOM · 封装：Ceramic-2
该型号为晶体管，主要参数包括工作频率 2.9 GHz、技术 Si、晶体管类型 Bipolar Power、类型 RF Bipolar Power、晶体管极性 NPN、最大集电极－发射极电压（VCEO） 60 V，采用 Ceramic-2 封装。MAPRST0912-50
MACOM
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si。BFR 360L3 E6765
Infineon Technologies · 封装：TSLP
该型号为晶体管，主要参数包括工作频率 14000 MHz、技术 Si、晶体管类型 Bipolar、类型 RF Bipolar Small Signal、晶体管极性 NPN、最大集电极－发射极电压（VCEO） 6 V，采用 TSLP 封装。BFS20,235
Nexperia · 封装：SOT-23-3
该型号为晶体管，主要参数包括工作频率 450 MHz、技术 Si、晶体管类型 Bipolar、类型 RF Bipolar Small Signal、晶体管极性 NPN、最大集电极－发射极电压（VCEO） 20 V，采用 SOT-23-3 封装。MCH4009-TL-H
ON Semiconductor · 封装：SOT-343-4
该型号为晶体管，主要参数包括工作频率 25 GHz、技术 Si、晶体管类型 Bipolar、类型 RF Bipolar Small Signal、晶体管极性 NPN、最小直流电流增益（hfe） 50，采用 SOT-343-4 封装。BFU530AVL
NXP Semiconductors
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、型号别名 934067698235、单件重量 0.000266 oz。BFR 183 E6327
Infineon Technologies · 封装：SOT-23
该型号为晶体管，主要参数包括工作频率 8000 MHz、技术 Si、晶体管类型 Bipolar、类型 RF Bipolar Small Signal、晶体管极性 NPN、最大集电极－发射极电压（VCEO） 12 V，采用 SOT-23 封装。BFR340L3E6327XTMA1
Infineon Technologies · 封装：TSLP-3
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、型号别名 340L3 BFR BFR34L3E6327XT E6327 SP000013558，采用 TSLP-3 封装。BFR 193W H6327
Infineon Technologies · 封装：SOT-323
该型号为晶体管，主要参数包括工作频率 900 MHz、技术 Si、晶体管类型 Bipolar、类型 RF Bipolar Small Signal、晶体管极性 NPN、最小直流电流增益（hfe） 70，采用 SOT-323 封装。BFU520WF
NXP Semiconductors · 封装：View
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、型号别名 934067693135、单件重量 0.000196 oz，采用 View 封装。BFP 520F H6327
Infineon Technologies · 封装：TSFP-4
该型号为晶体管，主要参数包括工作频率 45 GHz、技术 Si、晶体管类型 Bipolar、类型 RF Bipolar Small Signal、晶体管极性 NPN、最小直流电流增益（hfe） 70，采用 TSFP-4 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。