Infineon Technologies
BFR843EL3E6327XTSA1
该型号为晶体管，主要参数包括工作频率 12 GHz、技术 SiGe、晶体管类型 Bipolar、晶体管极性 NPN、最小直流电流增益（hfe） 230、最大集电极－发射极电压（VCEO） 2.25 V，采用 TSLP-3 封装。
基本资料
查看数据手册 ↗- 制造商
- Infineon
- 品牌
- Infineon Technologies
- 产品类别
- 晶体管
- 封装
- TSLP-3
- 安装方式
- 表面贴装（SMD/SMT）
- 包装方式
- 剪切带
- RoHS
- 符合（来源记录）
技术参数
10 项参数- 晶体管类型
- Bipolar
- 技术
- SiGe
- 晶体管极性
- NPN
- 最小直流电流增益（hfe）
- 230
- 最大集电极－发射极电压（VCEO）
- 2.25 V
- 连续集电极电流
- 55 mA
- 工作频率
- 12 GHz
- 耗散功率（Pd）
- 125 mW
- 型号别名
- 843EL3 BFR E6327 SP001062610
- 单件重量
- 0.000017 oz
技术资料与历史库存、参考价供核对使用；当前供货、报价及交期请询价确认，参数相近不代表可直接替代。