SMA3109-TL-E
onsemi
主要参数包括工作电源电压 3 V、工作频率 100 MHz to 3.6 GHz、测试频率 1 GHz、技术 Si、类型 General Purpose Amplifiers、工作电源电流 16 mA。射频与无线
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型号列表
20,447 条型号记录MT3S20P(TE12L,F)
Toshiba · 封装：SC-62-3
该型号为晶体管，主要参数包括工作频率 7 GHz、技术 Si、晶体管类型 Bipolar、晶体管极性 NPN、最小直流电流增益（hfe） 100、最大集电极－发射极电压（VCEO） 12 V，采用 SC-62-3 封装。NSVF5501SKT3G
ON Semiconductor · 封装：SOT-623-3
该型号为晶体管，主要参数包括工作频率 5.5 GHz、晶体管极性 NPN、最小直流电流增益（hfe） 100、最大集电极－发射极电压（VCEO） 10 V、发射极－基极电压（VEBO） 3 V、连续集电极电流 70 mA，采用 SOT-623-3 封装。NSVF4020SG4T1G
ON Semiconductor · 封装：SC-82FL-4
该型号为晶体管，主要参数包括工作频率 16 GHz、技术 Si、晶体管类型 Bipolar、晶体管极性 NPN、最小直流电流增益（hfe） 60、最大集电极－发射极电压（VCEO） 8 V，采用 SC-82FL-4 封装。NSVF5490SKT3G
ON Semiconductor · 封装：SOT-623-3
该型号为晶体管，主要参数包括工作频率 8 GHz、技术 Si、晶体管类型 Bipolar、晶体管极性 NPN、最小直流电流增益（hfe） 90、最大集电极－发射极电压（VCEO） 10 V，采用 SOT-623-3 封装。NSVF4017SG4T1G
ON Semiconductor · 封装：SC-82FL-4
该型号为晶体管，主要参数包括工作频率 10 GHz、技术 Si、晶体管类型 Bipolar、晶体管极性 NPN、最小直流电流增益（hfe） 60、最大集电极－发射极电压（VCEO） 12 V，采用 SC-82FL-4 封装。NSVF4015SG4T1G
ON Semiconductor · 封装：SC-82FL-4
该型号为晶体管，主要参数包括工作频率 10 GHz、技术 Si、晶体管类型 Bipolar、晶体管极性 NPN、最小直流电流增益（hfe） 60、最大集电极－发射极电压（VCEO） 12 V，采用 SC-82FL-4 封装。NSVF4009SG4T1G
ON Semiconductor
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、认证等级 AEC-Q101。NSVF5488SKT3G
ON Semiconductor · 封装：SOT-623-3
该型号为晶体管，主要参数包括工作频率 7 GHz、技术 Si、晶体管类型 Bipolar、晶体管极性 NPN、最小直流电流增益（hfe） 90、最大集电极－发射极电压（VCEO） 10 V，采用 SOT-623-3 封装。NSVF6003SB6T1G
ON Semiconductor · 封装：CPH-6
该型号为晶体管，主要参数包括工作频率 7 GHz、技术 Si、晶体管类型 Bipolar、晶体管极性 NPN、最小直流电流增益（hfe） 100、最大集电极－发射极电压（VCEO） 12 V，采用 CPH-6 封装。NSVF3007SG3T1G
ON Semiconductor · 封装：SC-70FL-3
该型号为晶体管，主要参数包括工作频率 8 GHz、技术 Si、晶体管类型 Bipolar、晶体管极性 NPN、最小直流电流增益（hfe） 60、最大集电极－发射极电压（VCEO） 12 V，采用 SC-70FL-3 封装。BFR 92P E6327
Infineon Technologies · 封装：SOT-23
该型号为晶体管，主要参数包括工作频率 5000 MHz、技术 Si、晶体管类型 Bipolar、类型 RF Bipolar Small Signal、晶体管极性 NPN、最小直流电流增益（hfe） 70，采用 SOT-23 封装。MCH4015-TL-H
ON Semiconductor
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管类型 Bipolar Power、类型 RF Bipolar Power、单件重量 0.000273 oz。BFR193WH6327XTSA1
Infineon Technologies · 封装：SOT-323-3
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、型号别名 193W BFR BFR193WH6327XT H6327 SP000734404、单件重量 0.000176 oz，采用 SOT-323-3 封装。BFR 93AW H6327
Infineon Technologies · 封装：SOT-323
该型号为晶体管，主要参数包括工作频率 2 GHz、技术 Si、晶体管类型 Bipolar、类型 RF Bipolar Small Signal、晶体管极性 NPN、最小直流电流增益（hfe） 70，采用 SOT-323 封装。BFU760F,115
NXP Semiconductors · 封装：SOT-343
该型号为晶体管，主要参数包括工作频率 45 GHz、技术 SiGe、晶体管类型 Bipolar、类型 RF Silicon Germanium、最小直流电流增益（hfe） 155、最大集电极－发射极电压（VCEO） 2.8 V，采用 SOT-343 封装。BFP 740F H6327
Infineon Technologies · 封装：TSFP-4
该型号为晶体管，主要参数包括工作频率 42 GHz、技术 SiGe、晶体管类型 Bipolar、类型 RF Silicon Germanium、最大集电极－发射极电压（VCEO） 4 V、发射极－基极电压（VEBO） 1.2 V，采用 TSFP-4 封装。BFU520XRR
NXP Semiconductors · 封装：SOT143B-4
该型号为晶体管，主要参数包括工作温度范围 - 40 C to + 150 C、工作频率 900 MHz、技术 Si、晶体管类型 Bipolar Wideband、类型 Wideband RF Transistor、晶体管极性 NPN，采用 SOT143B-4 封装。BFR 380L3 E6327
Infineon Technologies · 封装：TSLP
该型号为晶体管，主要参数包括工作频率 14 GHz、技术 Si、晶体管类型 Bipolar、类型 RF Bipolar Small Signal、晶体管极性 NPN、最小直流电流增益（hfe） 90，采用 TSLP 封装。BFU630F,115
NXP Semiconductors · 封装：SOT-343F
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管类型 Bipolar、类型 RF Bipolar Small Signal、晶体管极性 NPN、最小直流电流增益（hfe） 90、最大集电极－发射极电压（VCEO） 5.5 V，采用 SOT-343F 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。