NXP Semiconductors
BFU630F,115
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管类型 Bipolar、类型 RF Bipolar Small Signal、晶体管极性 NPN、最小直流电流增益（hfe） 90、最大集电极－发射极电压（VCEO） 5.5 V，采用 SOT-343F 封装。
基本资料
查看数据手册 ↗- 制造商
- NXP
- 品牌
- NXP Semiconductors
- 产品类别
- 晶体管
- 封装
- SOT-343F
- 安装方式
- 表面贴装（SMD/SMT）
- 包装方式
- 剪切带
- RoHS
- 符合（来源记录）
技术参数
14 项参数- 晶体管类型
- Bipolar
- 技术
- Si
- 晶体管极性
- NPN
- 最小直流电流增益（hfe）
- 90
- 最大集电极－发射极电压（VCEO）
- 5.5 V
- 发射极－基极电压（VEBO）
- 2.5 V
- 连续集电极电流
- 3 mA
- 最大工作温度
- + 150 C
- 配置
- Single
- 类型
- RF Bipolar Small Signal
- 增益带宽积（fT）
- 21 GHz
- 耗散功率（Pd）
- 200 mW
展开更多参数（2 项）
- 型号别名
- 934064609115
- 单件重量
- 0.000235 oz
技术资料与历史库存、参考价供核对使用；当前供货、报价及交期请询价确认，参数相近不代表可直接替代。