HMC-ALH476-SX
Analog Devices · 封装：Die
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 4 V、工作频率 14～27 GHz、测试频率 18～27 GHz、技术 GaAs、类型 Low Noise Amplifiers，采用 Die 封装。射频与无线
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型号列表
20,447 条型号记录HMC-APH596-SX
Analog Devices · 封装：Die
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 5 V、工作频率 16～33 GHz、技术 GaAs、类型 Power Amplifiers、工作电源电流 400 mA，采用 Die 封装。HMC1049LP5E
Analog Devices · 封装：QFN-32
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 7 V、工作频率 300 MHz to 20 GHz、测试频率 300 MHz to 10 GHz、技术 GaAs、类型 Low Noise Amplifiers，采用 QFN-32 封装。HMC1049LP5ETR
Analog Devices · 封装：QFN-32
主要参数包括通道数 1 个通道、技术 Si、类型 Low Noise Amplifiers、原产国家或地区 马来西亚，采用 QFN-32 封装。HMC1049SCPZ-EP-R7
Analog Devices · 封装：LFCSP-32
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 7 V、工作频率 300 MHz to 20 GHz、测试频率 14～20 GHz、技术 GaAs、类型 Low Noise Amplifiers，采用 LFCSP-32 封装。HMC1061LC5
Analog Devices · 封装：CLCC-32
主要参数包括工作电源电压 2 V、工作频率 0 Hz to 18 GHz、技术 SiGe、类型 General Purpose Amplifiers、工作电源电流 140 mA、增益 0 dB，采用 CLCC-32 封装。HMC1082LP4E
Analog Devices · 封装：LFCSP-24
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 5 V、工作频率 5.5～18 GHz、测试频率 17～18 GHz、技术 GaAs、类型 Driver Amplifiers，采用 LFCSP-24 封装。HMC1126ACEZ
Analog Devices · 封装：LGA-24
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 5 V、工作频率 400 MHz to 52 GHz、测试频率 10～26 GHz、技术 GaAs、类型 Low Noise Amplifiers，采用 LGA-24 封装。HMC1126ACEZ-R7
Analog Devices · 封装：LGA-24
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 5 V、工作频率 400 MHz to 52 GHz、测试频率 10～26 GHz、技术 GaAs、类型 Low Noise Amplifiers，采用 LGA-24 封装。HMC263-SX
Analog Devices · 封装：Die
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 3 V、工作频率 24～36 GHz、技术 GaAs、类型 Low Noise Amplifiers、工作电源电流 58 mA，采用 Die 封装。HMC263LP4E
Analog Devices · 封装：QFN-24
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 3 V、工作频率 24～36 GHz、技术 GaAs、类型 Low Noise Amplifiers、工作电源电流 58 mA，采用 QFN-24 封装。HMC263LP4ETR
Analog Devices · 封装：QFN-24
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 3 V、工作频率 24～36 GHz、技术 GaAs、类型 Low Noise Amplifiers、工作电源电流 58 mA，采用 QFN-24 封装。HMC311LP3E
Analog Devices · 封装：QFN-16
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 5 V、工作频率 0 Hz to 6 GHz、测试频率 0 Hz to 1 GHz、技术 GaAs InGaP、类型 Gain Block Amplifiers，采用 QFN-16 封装。HMC311LP3ETR
Analog Devices · 封装：QFN-32
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 5 V、工作频率 0 Hz to 6 GHz、测试频率 0 Hz to 1 GHz、技术 GaAs InGaP、类型 Gain Block Amplifiers，采用 QFN-32 封装。HMC311SC70E
Analog Devices · 封装：SC-70-6
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 5 V、工作频率 0 Hz to 8 GHz、测试频率 2～4 GHz、技术 GaAs InGaP、类型 Gain Block Amplifiers，采用 SC-70-6 封装。HMC311SC70ETR
Analog Devices · 封装：SC-70-6
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 5 V、工作频率 0 Hz to 8 GHz、测试频率 2～4 GHz、技术 GaAs InGaP、类型 Gain Block Amplifiers，采用 SC-70-6 封装。HMC311ST89E
Analog Devices · 封装：SOT-89-3
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 5 V、工作频率 0 Hz to 6 GHz、测试频率 0 Hz to 1 GHz、技术 GaAs InGaP、类型 Gain Block Amplifiers，采用 SOT-89-3 封装。HMC326MS8GE
Analog Devices · 封装：MSOP-8
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 5 V、工作频率 3～4.5 GHz、技术 GaAs InGaP、类型 Driver Amplifiers、工作电源电流 130 mA，采用 MSOP-8 封装。HMC327MS8GE
Analog Devices
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 5 V、工作频率 3～4 GHz、技术 GaAs InGaP、类型 Power Amplifiers、工作电源电流 250 mA。HMC327MS8GETR
Analog Devices
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 5 V、工作频率 3～4 GHz、技术 GaAs InGaP、类型 Power Amplifiers、工作电源电流 250 mA。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。