Analog Devices
HMC311LP3E
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 5 V、工作频率 0 Hz to 6 GHz、测试频率 0 Hz to 1 GHz、技术 GaAs InGaP、类型 Gain Block Amplifiers，采用 QFN-16 封装。
基本资料
查看数据手册 ↗- 制造商
- Analog Devices Inc.
- 品牌
- Analog Devices
- 产品类别
- RF Amplifier
- 产品系列
- HMC311
- 封装
- QFN-16
- 安装方式
- 表面贴装（SMD/SMT）
- 包装方式
- 剪切带
技术参数
18 项参数- 工作频率
- 0 Hz to 6 GHz
- 工作电源电压
- 5 V
- 工作电源电流
- 55 mA
- 增益
- 14.5 dB
- 噪声系数（NF）
- 4.5 dB
- 类型
- Gain Block Amplifiers
- 技术
- GaAs InGaP
- 1 dB 压缩点（P1dB）
- 15.5 dBm
- 输出三阶截点（OIP3）
- 32 dBm
- 工作温度范围
- -40～85 °C
- 组装国家或地区
- 韩国
- 晶圆制造国家或地区
- 美国
展开更多参数（6 项）
- 原产国家或地区
- 韩国
- 输入回波损耗
- 15 dB
- 通道数
- 1 个通道
- 耗散功率（Pd）
- 339 mW
- 测试频率
- 0 Hz to 1 GHz
- 单件重量
- 0.003527 oz
技术资料与历史库存、参考价供核对使用；当前供货、报价及交期请询价确认，参数相近不代表可直接替代。