A2I25H060GNR1
NXP Semiconductors · 封装：TO-270WB-17
主要参数包括通道数 2 个通道、工作电源电压 28 V、工作频率 2.3～2.69 GHz、测试频率 2.59 GHz、类型 RF LDMOS Wideband Integrated Power Amplifier、1 dB 压缩点（P1dB） 47.2 dBm，采用 TO-270WB-17 封装。射频与无线
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型号列表
20,447 条型号记录A2G35S160-01SR3
NXP Semiconductors
主要参数包括型号别名 935315703118、单件重量 0 oz。A2I25D012GNR1
NXP Semiconductors
主要参数包括湿敏性 是、型号别名 935318462528、单件重量 0.056385 oz。MMRF2005NR1
NXP Semiconductors · 封装：TO-270WB-16
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 28 V、工作频率 728～960 MHz、测试频率 920～960 MHz、类型 RF LDMOS Wideband、增益 35.9 dB，采用 TO-270WB-16 封装。A2I25H060NR1
NXP Semiconductors
主要参数包括技术 Si、湿敏性 是、型号别名 935322312528、单件重量 0.055740 oz。A2I25D012NR1
NXP Semiconductors
主要参数包括湿敏性 是、型号别名 935318416528、单件重量 0.058073 oz。A2I20H080NR1
NXP Semiconductors · 封装：TO-270WBG-15
主要参数包括通道数 2 个通道、工作电源电压 30 V、工作频率 1.8～2.2 GHz、测试频率 1.88 GHz、类型 RF LDMOS Wideband Integrated Power Amplifier、1 dB 压缩点（P1dB） 48.5 dBm，采用 TO-270WBG-15 封装。A2I20D020GNR1
NXP Semiconductors
主要参数包括型号别名 935313109528、单件重量 0.021097 oz。MMRF2005GNR1
NXP Semiconductors · 封装：TO-270WBG-16
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 28 V、工作频率 728～960 MHz、测试频率 920～960 MHz、类型 RF LDMOS Wideband、增益 35.9 dB，采用 TO-270WBG-16 封装。MD7IC2251GNR1
NXP Semiconductors · 封装：TO-270 Gull
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 26～32 V、带宽 2110～2170 MHz、湿敏性 是、型号别名 935323261528、单件重量 0.056833 oz，采用 TO-270 Gull 封装。A2I20H080GNR1
NXP Semiconductors · 封装：TO-270WB-15
主要参数包括通道数 2 个通道、工作电源电压 30 V、工作频率 1.8～2.2 GHz、测试频率 1.88 GHz、类型 RF LDMOS Wideband Integrated Power Amplifier、1 dB 压缩点（P1dB） 48.5 dBm，采用 TO-270WB-15 封装。A2G22S251-01SR3
NXP Semiconductors
主要参数包括型号别名 935313179528、单件重量 0 oz。MD7IC1812GNR1
NXP Semiconductors
主要参数包括湿敏性 是、型号别名 935322102528、单件重量 0.056833 oz。BGS8L4UK/SZ
NXP Semiconductors · 封装：WLCSP-6
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 1.5～3.1 V、工作频率 720～960 MHz、测试频率 943 MHz、技术 SiGe、类型 LNA，采用 WLCSP-6 封装。MW7IC2725GNR1
NXP Semiconductors
主要参数包括通道数 1 个通道、电源电压（最大值） 32 V、电源电压（最小值） 26 V、工作频率 2.7 GHz、类型 Power Amplifier、增益 28.5 dB。32-0125B-14
Tallysman · 封装：20 mm x 85 mm
主要参数包括工作电源电压 3～16 V、工作频率 1.1～1.7 GHz、测试频率 1～2 GHz、类型 Mobile Amplifiers/Cellular Amplifiers、工作电源电流 11 mA、增益 27 dB，采用 20 mm x 85 mm 封装。32-0141-01
Tallysman · 封装：20 mm x 59 mm
主要参数包括工作电源电压 3.3～10 V、工作频率 1.2～1.8 GHz、类型 Mobile Amplifiers/Cellular Amplifiers、工作电源电流 25 mA、增益 42 dB、噪声系数（NF） 2 dB，采用 20 mm x 59 mm 封装。32-0141-14
Tallysman · 封装：20 mm x 59 mm
主要参数包括工作电源电压 3.3～10 V、工作频率 1.2～1.8 GHz、类型 Mobile Amplifiers/Cellular Amplifiers、工作电源电流 25 mA、增益 42 dB、噪声系数（NF） 2 dB，采用 20 mm x 59 mm 封装。CE3509M4
CEL · 封装：SOT-343F-4
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 2.7～3.3 V、工作频率 1.575 GHz、技术 Si、类型 Low Noise Amplifiers、工作电源电流 20.6 mA，采用 SOT-343F-4 封装。GRF0005
Guerrilla RF · 封装：QFN-16
主要参数包括通道数 4 个通道、工作电源电压 40 V、工作频率 0 Hz to 12 GHz、技术 氮化镓（GaN）、类型 Power Amplifiers、增益 12.5 dB，采用 QFN-16 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。