NXP Semiconductors
A2I25H060GNR1
主要参数包括通道数 2 个通道、工作电源电压 28 V、工作频率 2.3～2.69 GHz、测试频率 2.59 GHz、类型 RF LDMOS Wideband Integrated Power Amplifier、1 dB 压缩点（P1dB） 47.2 dBm，采用 TO-270WB-17 封装。
基本资料
查看数据手册 ↗- 制造商
- NXP
- 品牌
- NXP Semiconductors
- 产品类别
- RF Amplifier
- 封装
- TO-270WB-17
- 安装方式
- 表面贴装（SMD/SMT）
- 包装方式
- 卷盘
技术参数
11 项参数- 类型
- RF LDMOS Wideband Integrated Power Amplifier
- 工作频率
- 2.3～2.69 GHz
- 1 dB 压缩点（P1dB）
- 47.2 dBm
- 增益
- 26.1 dB
- 工作电源电压
- 28 V
- 测试频率
- 2.59 GHz
- 工作电源电流
- 163 mA
- 工作温度范围
- -40～150 °C
- 通道数
- 2 个通道
- 型号别名
- 935316196528
- 单件重量
- 0.021097 oz
技术资料与历史库存、参考价供核对使用；当前供货、报价及交期请询价确认，参数相近不代表可直接替代。