MMG20271H9T1
NXP Semiconductors · 封装：SOT-89
主要参数包括工作电源电压 5 V、工作频率 1.5～2.7 GHz、类型 High Linearity Amplifier、噪声系数（NF） 1.9 dB、工作电源电流 215 mA、型号别名 935310907147，采用 SOT-89 封装。射频与无线
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型号列表
20,447 条型号记录MMG3012NT1
NXP Semiconductors · 封装：SOT-89-3
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、电源电压（最小值） 4.5 V、工作频率 0～6 GHz、测试频率 900 MHz，采用 SOT-89-3 封装。MW7IC008NT1
NXP Semiconductors · 封装：PQFN
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 24～32 V、电源电压（最大值） 32 V、电源电压（最小值） 24 V、工作频率 100 MHz to 1 GHz、类型 Power Amplifier，采用 PQFN 封装。MMG30271BT1
NXP Semiconductors · 封装：SOT-89-3
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 5 V、工作频率 900 MHz to 4.3 GHz、测试频率 2.14 GHz、类型 Driver Amplifier、1 dB 压缩点（P1dB） 26.9 dBm，采用 SOT-89-3 封装。MMG3H21NT1
NXP Semiconductors · 封装：SOT-89-3
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、电源电压（最小值） 4.5 V、工作频率 0～6 GHz、测试频率 900 MHz，采用 SOT-89-3 封装。MW7IC2040NR1
NXP Semiconductors
主要参数包括通道数 1 个通道、电源电压（最大值） 32 V、电源电压（最小值） 24 V、工作频率 1.99 GHz、类型 Power Amplifier、增益 31 dB。MD8IC970NR1
NXP Semiconductors · 封装：TO-270
主要参数包括工作电源电压 32 V、带宽 850～940 MHz、湿敏性 是、型号别名 935317375528、单件重量 0.085451 oz，采用 TO-270 封装。MW7IC930GNR1
NXP Semiconductors
主要参数包括湿敏性 是、型号别名 935319504528、单件重量 0.056385 oz。A2I20D040GNR1
NXP Semiconductors · 封装：TO-270WBG-17
主要参数包括通道数 2 个通道、工作电源电压 28 V、工作频率 1.4～2.2 GHz、测试频率 1.9 GHz、类型 RF LDMOS Wideband Integrated Power Amplifier、1 dB 压缩点（P1dB） 45.6 dBm，采用 TO-270WBG-17 封装。MD8IC925GNR1
NXP Semiconductors · 封装：TO-270WBG-14
主要参数包括工作电源电压 28 V、工作频率 960 MHz、类型 RF LDMOS Wideband Integrated Power Amplifier、1 dB 压缩点（P1dB） 44.1 dBm、增益 36.2 dB、最小工作温度 - 65 C，采用 TO-270WBG-14 封装。A2I20D020NR1
NXP Semiconductors
主要参数包括湿敏性 是、型号别名 935313237528、单件重量 0.055740 oz。A2I22D050NR1
NXP Semiconductors
主要参数包括湿敏性 是、型号别名 935312142528、单件重量 0.055676 oz。A2I09VD030NR1
NXP Semiconductors · 封装：TO-270WB-15
主要参数包括通道数 2 个通道、工作电源电压 48 V、工作频率 575～960 MHz、测试频率 960 MHz、类型 RF LDMOS Wideband Integrated、1 dB 压缩点（P1dB） 45.2 dBm，采用 TO-270WB-15 封装。MD7IC1812NR1
NXP Semiconductors
主要参数包括湿敏性 是、型号别名 935311017528、单件重量 0.058255 oz。A2I09VD030GNR1
NXP Semiconductors · 封装：TO-270WBG-15
主要参数包括通道数 2 个通道、工作电源电压 48 V、工作频率 575～960 MHz、测试频率 960 MHz、类型 RF LDMOS Wideband Integrated、1 dB 压缩点（P1dB） 45.2 dBm，采用 TO-270WBG-15 封装。A2I20D040NR1
NXP Semiconductors · 封装：TO-270WB-17
主要参数包括通道数 2 个通道、工作电源电压 28 V、工作频率 1.4～2.2 GHz、测试频率 1.9 GHz、类型 RF LDMOS Wideband Integrated Power Amplifier、1 dB 压缩点（P1dB） 45.6 dBm，采用 TO-270WB-17 封装。A2I25D025GNR1
NXP Semiconductors
主要参数包括湿敏性 是、型号别名 935323756528、单件重量 0.021097 oz。MMDS20254HT1
NXP Semiconductors · 封装：QFN-32
主要参数包括工作频率 700～2800 MHz、类型 Advanced Doherty Alignment、湿敏性 是、型号别名 935311211528、单件重量 0.003901 oz，采用 QFN-32 封装。MW7IC2725NR1
NXP Semiconductors
主要参数包括通道数 1 个通道、电源电压（最大值） 32 V、电源电压（最小值） 26 V、工作频率 2.7 GHz、类型 Power Amplifier、增益 28.5 dB。MD7IC2050NR1
NXP Semiconductors · 封装：TO-270 WB-14
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 28 V、工作频率 2.025 GHz、频率范围 1.88～2.025 GHz、类型 Power Amplifier、1 dB 压缩点（P1dB） 47.8 dBm，采用 TO-270 WB-14 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。