NXP Semiconductors
MD8IC925GNR1
主要参数包括工作电源电压 28 V、工作频率 960 MHz、类型 RF LDMOS Wideband Integrated Power Amplifier、1 dB 压缩点（P1dB） 44.1 dBm、增益 36.2 dB、最小工作温度 - 65 C，采用 TO-270WBG-14 封装。
基本资料
查看数据手册 ↗- 制造商
- NXP
- 品牌
- NXP Semiconductors
- 产品类别
- RF Amplifier
- 产品系列
- MD8IC925N
- 封装
- TO-270WBG-14
- 安装方式
- 表面贴装（SMD/SMT）
- 包装方式
- 剪切带
- RoHS
- 符合（来源记录）
技术参数
10 项参数- 类型
- RF LDMOS Wideband Integrated Power Amplifier
- 工作频率
- 960 MHz
- 1 dB 压缩点（P1dB）
- 44.1 dBm
- 增益
- 36.2 dB
- 工作电源电压
- 28 V
- 工作温度范围
- -65～150 °C
- 输入回波损耗
- - 27 dB
- 湿敏性
- 是
- 型号别名
- 935314847528
- 单件重量
- 0.056833 oz
技术资料与历史库存、参考价供核对使用；当前供货、报价及交期请询价确认，参数相近不代表可直接替代。