TGA2753-SMT
Qorvo
主要参数包括湿敏性 是、型号别名 1128607。射频与无线
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型号列表
20,447 条型号记录TGA2752-SMT
Qorvo
主要参数包括湿敏性 是、型号别名 1119395。QBH-5105PM
API Technologies - Spectrum Control · 封装：SM-3
主要参数包括工作电源电压 12 V、工作频率 10～1000 MHz、技术 硅、类型 RF Amplifier、1 dB 压缩点（P1dB） 28 dBm、增益 13 dB，采用 SM-3 封装。TN9512PM
API Technologies - Spectrum Control · 封装：SM-3
主要参数包括工作电源电压 12 V、工作频率 10～1000 MHz、技术 硅、类型 RF Amplifier、1 dB 压缩点（P1dB） 21 dBm、增益 13 dB，采用 SM-3 封装。MAX2615ETA/V+T
Maxim Integrated · 封装：TDFN-EP-8
主要参数包括认证等级 AEC-Q100、型号别名 MAX2615，采用 TDFN-EP-8 封装。MW7IC930NR1
NXP Semiconductors · 封装：TO-270 WB-16
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 28 V、工作频率 960 MHz、频率范围 920～960 MHz、类型 Power Amplifier、1 dB 压缩点（P1dB） 44.9 dBm，采用 TO-270 WB-16 封装。MMZ09312BT1
NXP Semiconductors · 封装：QFN-12
主要参数包括工作电源电压 3～5 V、电源电压（最大值） 5 V、电源电压（最小值） 3 V、工作频率 400 MHz to 1 GHz、测试频率 900 MHz、类型 General Purpose Amplifier，采用 QFN-12 封装。AFIC901NT1
NXP Semiconductors · 封装：QFN-EP-24
主要参数包括通道数 2 个通道、工作电源电压 7.5 V、工作频率 1.8 MHz to 1 GHz、测试频率 520 MHz、类型 RF LDMOS Wideband Integrated Power Amplifier、1 dB 压缩点（P1dB） 30 dBm，采用 QFN-EP-24 封装。MBC13916NT1
NXP Semiconductors · 封装：SOT-343-4
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 2.7 V、电源电压（最大值） 5 V、电源电压（最小值） 2.7 V、工作频率 100 MHz to 2.5 GHz、测试频率 900 MHz，采用 SOT-343-4 封装。MW7IC930NBR1
NXP Semiconductors · 封装：TO-272-16
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 24～32 V、工作频率 728 MHz to 768 MHz, 920 MHz to 960 MHz、类型 Wideband、增益 35.9 dB、最大工作温度 + 150 C，采用 TO-272-16 封装。MML20211HT1
NXP Semiconductors · 封装：DFN-2x2
主要参数包括工作电源电压 6 V、工作频率 1.4～2.8 GHz、噪声系数（NF） 0.85 dB、工作电源电流 200 mA、最大工作温度 + 150 C、型号别名 935310812147，采用 DFN-2x2 封装。MMA25312BT1
NXP Semiconductors
主要参数包括工作频率 3 GHz、型号别名 935320097167、单件重量 0.000776 oz。A2I25D025NR1
NXP Semiconductors · 封装：TO-270WB-17
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 28 V、工作频率 2.9 GHz、频率范围 2.1～2.9 GHz、类型 Power Amplifier、1 dB 压缩点（P1dB） 43.8 dBm，采用 TO-270WB-17 封装。MMG20241HT1
NXP Semiconductors · 封装：SOT-89-3
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 5 V、工作频率 2.14 GHz、频率范围 0.45～3.8 GHz、技术 GaAs、类型 Driver Amplifier，采用 SOT-89-3 封装。MMZ25333BT1
NXP Semiconductors · 封装：QFN-24
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 5 V、工作频率 2.6 GHz、频率范围 1.5～2.7 GHz、技术 GaAs InGaP、类型 High Gain Power Amplifier，采用 QFN-24 封装。MMG3014NT1
NXP Semiconductors · 封装：SOT-89-3
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、电源电压（最小值） 4.5 V、工作频率 40 MHz to 4 GHz、测试频率 900 MHz，采用 SOT-89-3 封装。MBC13720NT1
NXP Semiconductors · 封装：SOT-363-6
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 2.75 V、电源电压（最大值） 3 V、电源电压（最小值） 2.5 V、工作频率 400 MHz to 2.4 GHz、测试频率 2.4 GHz，采用 SOT-363-6 封装。MW7IC915NT1
NXP Semiconductors
主要参数包括湿敏性 是、型号别名 935317147528、单件重量 0.014095 oz。MMZ25332BT1
NXP Semiconductors · 封装：QFN-EP-12
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 5 V、工作频率 2500 MHz、频率范围 1500～2800 MHz、技术 GaAs、类型 Linear Amplifier，采用 QFN-EP-12 封装。MMG15241HT1
NXP Semiconductors · 封装：SOT-89-3
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 6 V、工作频率 2140 MHz、频率范围 500～2800 MHz、技术 GaAs、类型 MMIC Amplifier，采用 SOT-89-3 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。