NXP Semiconductors
MMZ09312BT1
主要参数包括工作电源电压 3~5 V、电源电压(最大值) 5 V、电源电压(最小值) 3 V、工作频率 400 MHz to 1 GHz、测试频率 900 MHz、类型 General Purpose Amplifier,采用 QFN-12 封装。
基本资料
查看数据手册 ↗- 制造商
- NXP
- 品牌
- NXP Semiconductors
- 产品类别
- RF Amplifier
- 产品系列
- MMZ09312B
- 封装
- QFN-12
- 安装方式
- 表面贴装(SMD/SMT)
- 包装方式
- 剪切带
- RoHS
- 符合(来源记录)
技术参数
13 项参数- 类型
- General Purpose Amplifier
- 工作频率
- 400 MHz to 1 GHz
- 1 dB 压缩点(P1dB)
- 29.6 dBm
- 增益
- 31.7 dB
- 工作电源电压
- 3~5 V
- 噪声系数(NF)
- 4 dB
- 测试频率
- 900 MHz
- 输出三阶截点(OIP3)
- 42 dBm
- 工作电源电流
- 74 mA
- 最大工作温度
- + 150 C
- 电源电压范围
- 3~5 V
- 型号别名
- 935310911167
展开更多参数(1 项)
- 单件重量
- 0.000776 oz
技术资料与历史库存、参考价供核对使用;当前供货、报价及交期请询价确认,参数相近不代表可直接替代。
