HMC-APH196
Analog Devices / Hittite · 封装：Die
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 4.5 V、工作频率 17～30 GHz、技术 GaAs、类型 Medium Power Amplifier、1 dB 压缩点（P1dB） 22 dBm，采用 Die 封装。射频与无线
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型号列表
20,447 条型号记录HMC549MS8GE
Analog Devices / Hittite · 封装：MSOP-8
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 5 V、工作频率 0.04～0.96 GHz、技术 GaAs、类型 Low Noise Amplifier、1 dB 压缩点（P1dB） 12.5 dBm，采用 MSOP-8 封装。HMC453QS16GETR
Analog Devices
主要参数包括通道数 1 个通道。HMC-ALH435
Analog Devices / Hittite · 封装：Die
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 5 V、工作频率 5～20 GHz、技术 GaAs、类型 Low Noise Amplifier、1 dB 压缩点（P1dB） 16 dBm，采用 Die 封装。HMC8142
Analog Devices · 封装：Chip
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 4 V、工作频率 81～86 GHz、技术 GaAs、类型 E-Band Power Amplifier、1 dB 压缩点（P1dB） 25 dBm，采用 Chip 封装。HMC-ALH216
Analog Devices / Hittite · 封装：Die
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 4 V、工作频率 14～27 GHz、技术 GaAs、类型 Low Noise Amplifier、1 dB 压缩点（P1dB） 14 dBm，采用 Die 封装。RFCA8828SR
Qorvo · 封装：SOIC-8
主要参数包括通道数 2 个通道、工作电源电压 6 V、工作频率 50～1200 MHz、测试频率 1200 MHz、技术 GaAs、类型 High Linearity，采用 SOIC-8 封装。HMC661LC4BTR
Analog Devices / Hittite · 封装：QFN-EP-24
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 2 V、工作频率 DC to 18 GHz、技术 SiGe、类型 Wideband Amplifier、工作电源电流 26 mA, 40 mA, 73 mA, 82 mA，采用 QFN-EP-24 封装。HMC1049LP5ETR
Analog Devices / Hittite
主要参数包括通道数 1 个通道。HMC369LP3ETR
Analog Devices
RF Amplifier X2 Active mult, 9.9 - 12.7 GHz FoutAD8350ARMZ20-REEL7
Analog Devices · 封装：MSOP-8
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 11 V、电源电压（最大值） 11 V、电源电压（最小值） 4 V、最小工作温度 - 40 C、最大工作温度 + 85 C，采用 MSOP-8 封装。HMC594
Analog Devices / Hittite · 封装：Die
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 6 V、工作频率 2～4 GHz、技术 GaAs、类型 Low Noise Amplifier、1 dB 压缩点（P1dB） 21 dBm，采用 Die 封装。QPA4586ASR
Qorvo · 封装：SOT-86-4
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 3.2～3.8 V、工作频率 DC to 4 GHz、测试频率 1.95 GHz、技术 SiGe、类型 HBT MMIC Amplifier，采用 SOT-86-4 封装。CGA6618Z
Qorvo · 封装：ESOP-8
主要参数包括通道数 2 个通道、工作电源电压 8 V、工作频率 5～1000 MHz、测试频率 1000 MHz、技术 GaAs、类型 High Linearity，采用 ESOP-8 封装。HMC606
Analog Devices / Hittite
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 5 V、工作频率 18 GHz、频率范围 2～18 GHz、技术 GaAs、类型 RF Amplifier。HMC8325
Analog Devices · 封装：Die
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 3 V、工作频率 71～86 GHz、技术 GaAs、类型 E-Band Low Noise Amplifier、1 dB 压缩点（P1dB） 13 dBm，采用 Die 封装。HMC639ST89E
Analog Devices / Hittite · 封装：SOT-89-4
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 5 V、工作频率 4 GHz、频率范围 0.2～4 GHz、技术 GaAs、类型 RF Amplifier，采用 SOT-89-4 封装。HMC772LC4
Analog Devices / Hittite · 封装：QFN-24
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 4 V、工作频率 12 GHz、频率范围 2～12 GHz、技术 GaAs、类型 RF Amplifier，采用 QFN-24 封装。SPF5043ZSR
Qorvo · 封装：SOT-343-4
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 5 V、工作频率 50～4000 MHz、测试频率 900 MHz, 1900 MHz、技术 GaAs、类型 Low Noise Amplifier，采用 SOT-343-4 封装。HMC490
Analog Devices / Hittite
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 5 V、工作频率 17 GHz、频率范围 12～17 GHz、技术 GaAs、类型 RF Amplifier。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。