Analog Devices / Hittite
HMC661LC4BTR
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 2 V、工作频率 DC to 18 GHz、技术 SiGe、类型 Wideband Amplifier、工作电源电流 26 mA, 40 mA, 73 mA, 82 mA，采用 QFN-EP-24 封装。
基本资料
查看数据手册 ↗- 制造商
- Analog Devices Inc.
- 品牌
- Analog Devices / Hittite
- 产品类别
- RF Amplifier
- 产品系列
- HMC661
- 封装
- QFN-EP-24
- 安装方式
- 表面贴装（SMD/SMT）
- 包装方式
- 卷盘
- RoHS
- 符合（来源记录）
技术参数
10 项参数- 类型
- Wideband Amplifier
- 技术
- SiGe
- 工作频率
- DC to 18 GHz
- 工作电源电压
- 2 V
- 工作电源电流
- 26 mA, 40 mA, 73 mA, 82 mA
- 工作温度范围
- 0～85 °C
- 产品
- SiGe
- 通道数
- 1 个通道
- 输入回波损耗
- - 23 dB
- 耗散功率（Pd）
- 2 W
技术资料与历史库存、参考价供核对使用；当前供货、报价及交期请询价确认，参数相近不代表可直接替代。