HMC342-SX
Analog Devices · 封装：Die
主要参数包括通道数 1 个通道，采用 Die 封装。射频与无线
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型号列表
20,447 条型号记录A2I09VD030GNR1
NXP / Freescale · 封装：TO-270WBG-15
主要参数包括通道数 2 个通道、工作电源电压 48 V、工作频率 575～960 MHz、测试频率 960 MHz、类型 RF LDMOS Wideband Integrated、1 dB 压缩点（P1dB） 45.2 dBm，采用 TO-270WBG-15 封装。D10040240GTH
Qorvo
主要参数包括工作电源电压 24 V、工作频率 40 MHz to 1 GHz、测试频率 1 GHz、技术 GaAs、类型 CATV Amplifier、增益 23 dB。SWA5002Z
Qorvo
RF Amplifier SWA5002ZF1420NLGK8
IDT · 封装：QFN-24
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 5 V、工作频率 700 MHz to 1 GHz、测试频率 1100 MHz、类型 High Gain/High Linearity、1 dB 压缩点（P1dB） 23.2 dBm，采用 QFN-24 封装。HMC659-SX
Analog Devices · 封装：Logarithmic Detector
主要参数包括通道数 1 个通道，采用 Logarithmic Detector 封装。QPA1001
Qorvo · 封装：QFN-48
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 30 V、工作频率 3.1～3.5 GHz、测试频率 3.5 GHz、技术 氮化镓（GaN）、类型 Power Amplifier，采用 QFN-48 封装。QPL9097SR
Qorvo · 封装：DFN-8
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 3～5.25 V、工作频率 3.3～4.2 GHz、测试频率 3800 MHz、类型 High Linearity、1 dB 压缩点（P1dB） 15.5 dBm，采用 DFN-8 封装。MHT2012N-2450
NXP Semiconductors · 封装：PQFN-24
主要参数包括通道数 2 个通道、工作电源电压 28 V、工作频率 2400～2500 MHz、测试频率 2450 MHz、类型 RF LDMOS Integrated Power Amplifier、1 dB 压缩点（P1dB） 42.3 dBm，采用 PQFN-24 封装。SMA6011
MACOM
RF AmplifierHMC263-SX
Analog Devices / Hittite · 封装：Die
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 3 V、工作频率 24～36 GHz、技术 GaAs、类型 Low Noise Amplifier、1 dB 压缩点（P1dB） 5 dBm，采用 Die 封装。HMC565-SX
Analog Devices
主要参数包括通道数 1 个通道。TGA4549-SM
Qorvo · 封装：5 mm x 5.5 mm x 1.7 mm
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 28 V、工作频率 21.2～23.6 GHz、技术 GaN SiC、类型 Power Amplifier、增益 22 dB，采用 5 mm x 5.5 mm x 1.7 mm 封装。HMC397-SX
Analog Devices
主要参数包括通道数 1 个通道。HMC396-SX
Analog Devices
主要参数包括通道数 1 个通道。HMC-AUH317-SX
Analog Devices / Hittite · 封装：Die
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 4 V、工作频率 81～86 GHz、技术 GaAs、类型 Medium Power Amplifier、1 dB 压缩点（P1dB） 17.5 dBm，采用 Die 封装。HMC-APH196-SX
Analog Devices
主要参数包括通道数 1 个通道。HMC591-SX
Analog Devices
主要参数包括通道数 1 个通道。HMC448-SX
Analog Devices
RF Amplifier I.C. Amp Doubler Amp Die 20GHz OutputQPA1014SQ
Qorvo · 封装：QFN-28
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 28 V、工作频率 2.7～3.7 GHz、技术 GaN SiC、类型 Power Amplifier、增益 30.3 dB，采用 QFN-28 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。