NXP Semiconductors
MHT2012N-2450
主要参数包括通道数 2 个通道、工作电源电压 28 V、工作频率 2400～2500 MHz、测试频率 2450 MHz、类型 RF LDMOS Integrated Power Amplifier、1 dB 压缩点（P1dB） 42.3 dBm，采用 PQFN-24 封装。
基本资料
查看数据手册 ↗- 制造商
- NXP
- 品牌
- NXP Semiconductors
- 产品类别
- RF Amplifier
- 产品系列
- MHT2012N
- 封装
- PQFN-24
- 安装方式
- 表面贴装（SMD/SMT）
- RoHS
- 符合（来源记录）
技术参数
11 项参数- 类型
- RF LDMOS Integrated Power Amplifier
- 工作频率
- 2400～2500 MHz
- 1 dB 压缩点（P1dB）
- 42.3 dBm
- 增益
- 29.7 dB
- 工作电源电压
- 28 V
- 测试频率
- 2450 MHz
- 输出三阶截点（OIP3）
- 43 dBm
- 工作电源电流
- 75 mA
- 工作温度范围
- -40～150 °C
- 通道数
- 2 个通道
- 型号别名
- 935379244598
技术资料与历史库存、参考价供核对使用；当前供货、报价及交期请询价确认，参数相近不代表可直接替代。