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型号列表

20,447 条型号记录
每页 20 条

HMC943APM5ETR

Analog Devices · 封装:LFCSP-32

主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 5.5 V、工作频率 24~34 GHz、测试频率 29~34 GHz、技术 GaAs、类型 Power Amplifier,采用 LFCSP-32 封装。

QPA3248

Qorvo · 封装:SOT-115J-9

主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 24 V、工作频率 45~1003 MHz、技术 GaAs GaN、类型 Hybrid Power Doubler Amplifier、增益 25 dB,采用 SOT-115J-9 封装。

MAX2265EUE+T

Maxim Integrated

主要参数包括通道数 1 个通道、电源电压(最大值) 5 V、电源电压(最小值) 2.7 V、工作频率 900 MHz、类型 Power Amplifier、增益 25.5 dB。

RFPA5532TR13

Qorvo · 封装:QFN-20

主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 3.3 V、工作频率 4.9~5.925 GHz、技术 硅、类型 WiFi Power Amplifier、1 dB 压缩点(P1dB) 30 dBm,采用 QFN-20 封装。

QPB8858SR

Qorvo · 封装:QFN-40

主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 24 V、工作频率 47~1218 MHz、测试频率 1218 MHz、技术 GaAs、类型 CATV Amplifier,采用 QFN-40 封装。

BGA7024,135

NXP Semiconductors · 封装:SOT-89-3

主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 3.3 V, 5 V、工作频率 400 MHz to 2.7 GHz、类型 RF Amplifier、1 dB 压缩点(P1dB) 24 dBm、增益 15 dB,采用 SOT-89-3 封装。

SMAL7

MACOM · 封装:SMTO-8

主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 15 V、工作频率 20~550 MHz、类型 Cascadable Amplifier、1 dB 压缩点(P1dB) - 1.5 dBm、增益 13 dB,采用 SMTO-8 封装。

ISL55016IRTZ-T7

Renesas / Intersil · 封装:UTQFN-EP-6

主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 5 V、电源电压(最大值) 5.5 V、电源电压(最小值) 4.5 V、工作频率 3000 MHz、类型 General Purpose Amplifier,采用 UTQFN-EP-6 封装。

F0448NBGK

IDT · 封装:QFN-32

主要参数包括通道数 2 个通道、工作电源电压 5 V、工作频率 3.4~3.8 GHz、测试频率 3.6 GHz、类型 DVGA、1 dB 压缩点(P1dB) 24 dBm,采用 QFN-32 封装。

HMC1132PM5ETR

Analog Devices · 封装:LFCSP-32

主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 6 V、技术 GaAs、类型 Power Amplifier、1 dB 压缩点(P1dB) 30 dBm、增益 22 dB,采用 LFCSP-32 封装。

TGA2590

Qorvo · 封装:5.4 mm x 7 mm x 0.1 mm

主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 20 V、工作频率 6~12 GHz、技术 GaN SiC、类型 Wideband Power Amplifier、增益 22 dB,采用 5.4 mm x 7 mm x 0.1 mm 封装。

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