Analog Devices
HMC1132PM5ETR
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 6 V、技术 GaAs、类型 Power Amplifier、1 dB 压缩点（P1dB） 30 dBm、增益 22 dB，采用 LFCSP-32 封装。
基本资料
查看数据手册 ↗- 制造商
- Analog Devices Inc.
- 品牌
- Analog Devices
- 产品类别
- RF Amplifier
- 产品系列
- HMC1132
- 封装
- LFCSP-32
- 安装方式
- 表面贴装（SMD/SMT）
- 包装方式
- 剪切带
- RoHS
- 符合（来源记录）
技术参数
11 项参数- 类型
- Power Amplifier
- 技术
- GaAs
- 1 dB 压缩点（P1dB）
- 30 dBm
- 增益
- 22 dB
- 工作电源电压
- 6 V
- 输出三阶截点（OIP3）
- 35 dBm
- 工作电源电流
- 600 mA
- 工作温度范围
- -40～85 °C
- 通道数
- 1 个通道
- 输入回波损耗
- 6 dB
- 耗散功率（Pd）
- 5.49 W
技术资料与历史库存、参考价供核对使用；当前供货、报价及交期请询价确认，参数相近不代表可直接替代。