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型号列表

20,447 条型号记录
每页 20 条

A2I20D040GNR1

NXP / Freescale · 封装:TO-270WBG-17

主要参数包括通道数 2 个通道、工作电源电压 28 V、工作频率 1.4~2.2 GHz、测试频率 1.9 GHz、类型 RF LDMOS Wideband Integrated Power Amplifier、1 dB 压缩点(P1dB) 45.6 dBm,采用 TO-270WBG-17 封装。

LX5560LL-TR

Microchip / Microsemi · 封装:MLPQ-12

主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 3.3 V、工作频率 4.9~6 GHz、测试频率 5.5 GHz、技术 GaAs InGaP、类型 LNA,采用 MLPQ-12 封装。

RFPA5522TR13

Qorvo · 封装:QFN-20

主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 5 V、工作频率 4.9~5.925 GHz、技术 硅、类型 WiFi Power Amplifier、1 dB 压缩点(P1dB) 33 dBm,采用 QFN-20 封装。

HMC871LC5TR

Analog Devices / Hittite · 封装:QFN-EP-32

主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 8 V、工作频率 DC to 20 GHz、技术 GaAs、类型 Modulator Driver、1 dB 压缩点(P1dB) 16.5 dBm,采用 QFN-EP-32 封装。

QPB7420TR13

Qorvo · 封装:SOT-89-3

主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 3~8 V、工作频率 47~1218 MHz、测试频率 850 MHz、技术 GaAs、类型 pHEMT Single Ended RF Amplifier,采用 SOT-89-3 封装。

TQP9224TR13

Qorvo · 封装:SMT-14

主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 4.5 V、工作频率 2.3~2.4 GHz、测试频率 2.35 GHz、类型 3-Stage Power Amplifier、1 dB 压缩点(P1dB) 33.6 dBm,采用 SMT-14 封装。

TGA4548

Qorvo · 封装:Die

主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 28 V、工作频率 17~20 GHz、技术 GaN SiC、类型 Power Amplifier、增益 27 dB,采用 Die 封装。

TGA2238

Qorvo · 封装:Chip

主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 28 V、工作频率 8~11 GHz、技术 氮化镓(GaN)、类型 Power Amplifier、1 dB 压缩点(P1dB) 36 dBm,采用 Chip 封装。

HMC625BLP5ETR

Analog Devices / Hittite · 封装:SMT-32

主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 5 V、工作频率 0 Hz to 5 GHz、测试频率 3~5 GHz、技术 GaAs、类型 Digital Variable Gain,采用 SMT-32 封装。

TGA2753-SM

Qorvo · 封装:QFN-42

主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 28 V、工作频率 5.9~7.1 GHz、技术 GaAs GaN、类型 Power Amplifier、增益 31 dB,采用 QFN-42 封装。

LMH6522SQ/NOPB

Texas Instruments · 封装:WQFN-54

主要参数包括通道数 4 个通道、工作电源电压 4.75~5.25 V、电源电压(最大值) 5.25 V、电源电压(最小值) 4.75 V、放大器类型 VGA、最小工作温度 - 40 C,采用 WQFN-54 封装。

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