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Microchip / Microsemi

LX5560LL-TR

主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 3.3 V、工作频率 4.9~6 GHz、测试频率 5.5 GHz、技术 GaAs InGaP、类型 LNA,采用 MLPQ-12 封装。

基本资料

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制造商
Microchip
品牌
Microchip / Microsemi
产品类别
RF Amplifier
封装
MLPQ-12
安装方式
表面贴装(SMD/SMT)
包装方式
剪切带

技术参数

14 项参数
类型
LNA
技术
GaAs InGaP
工作频率
4.9~6 GHz
1 dB 压缩点(P1dB)
2 dBm
增益
12 dB
工作电源电压
3.3 V
噪声系数(NF)
1.7 dB
测试频率
5.5 GHz
输出三阶截点(OIP3)
6 dBm
工作电源电流
9.5 mA
工作温度范围
-40~85 °C
通道数
1 个通道
展开更多参数(2 项)
输入回波损耗
9 dB
耗散功率(Pd)
0.15 W

技术资料与历史库存、参考价供核对使用;当前供货、报价及交期请询价确认,参数相近不代表可直接替代。

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