BGA 622 H6820
Infineon Technologies · 封装：SOT-343-4
主要参数包括工作电源电压 2.75 V、工作频率 1.575 GHz、类型 Silicon Germanium MMIC、噪声系数（NF） 1 dB、工作电源电流 10 mA、最小工作温度 - 65 C，采用 SOT-343-4 封装。射频与无线
按型号、制造商与产品类别查询芯片技术资料。
型号列表
20,447 条型号记录BGA 616 H6327
Infineon Technologies · 封装：SOT-343-4
主要参数包括工作电源电压 6 V、工作频率 0 Hz to 2.7 GHz、测试频率 2 GHz、类型 Silicon Germanium MMIC、1 dB 压缩点（P1dB） 18 dBm、增益 18 dB，采用 SOT-343-4 封装。BGA427H6327XTSA1
Infineon Technologies · 封装：SOT-343-4
主要参数包括型号别名 427 BGA BGA427H6327XT H6327 SP000753506、单件重量 0.000226 oz，采用 SOT-343-4 封装。BGA 420 H6327
Infineon Technologies · 封装：SOT-343-4
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 3 V、工作频率 1.8 GHz、频率范围 0.1～3 GHz、类型 MMIC Amplifier、1 dB 压缩点（P1dB） - 2.5 dBm，采用 SOT-343-4 封装。CA3509M4
CEL · 封装：SMD-4
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 3 V、测试频率 1.575 GHz、类型 Low Noise Amplifier、1 dB 压缩点（P1dB） 12 dBm、增益 17 dB，采用 SMD-4 封装。CRBAMP-100-6000
Crystek Corporation
主要参数包括通道数 3 个通道、电源电压（最大值） 5.25 V、电源电压（最小值） 4.75 V、工作频率 6 GHz、类型 General Purpose Amplifier、增益 18 dB。NJG1130KA1-TE1
NJR
主要参数包括商品名称 NJG113。HMC-ALH445-SX
Analog Devices / Hittite · 封装：Die
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 5 V、工作频率 18～40 GHz、技术 GaAs、类型 Low Noise Amplifier、1 dB 压缩点（P1dB） 12 dBm，采用 Die 封装。NJG1117HA8-TE1
NJR · 封装：USB-6-A8
主要参数包括工作频率 1.5～2.4 GHz、测试频率 1.575 GHz、增益 19.5 dB、噪声系数（NF） 0.7 dB、商品名称 NJG111，采用 USB-6-A8 封装。MAX2693LEWS+
Maxim Integrated · 封装：WLP-4
主要参数包括工作电源电压 3.3 V、工作频率 1575.42 MHz、技术 SiGe、类型 Low Noise Amplifier、1 dB 压缩点（P1dB） - 11 dBm、增益 18.7 dB，采用 WLP-4 封装。HMC-ALH310-SX
Analog Devices · 封装：Die
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 2.5 V、工作频率 37～42 GHz、技术 GaAs、类型 Low Noise Amplifier、1 dB 压缩点（P1dB） 12 dBm，采用 Die 封装。HMC518-SX
Analog Devices · 封装：Die
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 3 V、工作频率 20～32 GHz、测试频率 28～32 GHz、技术 GaAs、类型 Low Noise Amplifier，采用 Die 封装。HMC-ALH244-SX
Analog Devices · 封装：Die
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 4 V、工作频率 24～40 GHz、技术 GaAs、类型 Low Noise Amplifier、1 dB 压缩点（P1dB） 13 dBm，采用 Die 封装。HMC594-SX
Analog Devices · 封装：RF Amplifier
主要参数包括通道数 1 个通道，采用 RF Amplifier 封装。AM-147-PIN
MACOM
RF Amplifier 3-500MHz NF:3.4dB VSWR: 1.7:1QPA7489ASR
Qorvo · 封装：SOT-89-3
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 5 V、工作频率 DC to 3.5 GHz、测试频率 1.95 GHz、技术 SiGe、类型 HBT MMIC Amplifier，采用 SOT-89-3 封装。MAX2059ETL+
Maxim Integrated · 封装：TQFN-40
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 5 V、电源电压（最大值） 5.25 V、电源电压（最小值） 4.75 V、工作频率 1.7～2.2 GHz、测试频率 1.85 GHz，采用 TQFN-40 封装。RFPA5208SR
Qorvo · 封装：MCM-10
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 5 V、工作频率 2.412～2.484 GHz、技术 硅、类型 WiFi Power Amplifier、增益 40 dB，采用 MCM-10 封装。F1423NBGI
IDT
主要参数包括商品名称 Zero-Distortion。BGS8458Z
NXP Semiconductors
主要参数包括型号别名 934069562147。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。