Infineon Technologies
BGA 616 H6327
主要参数包括工作电源电压 6 V、工作频率 0 Hz to 2.7 GHz、测试频率 2 GHz、类型 Silicon Germanium MMIC、1 dB 压缩点（P1dB） 18 dBm、增益 18 dB，采用 SOT-343-4 封装。
基本资料
查看数据手册 ↗- 制造商
- Infineon
- 品牌
- Infineon Technologies
- 产品类别
- RF Amplifier
- 产品系列
- BGA616
- 封装
- SOT-343-4
- 安装方式
- 表面贴装（SMD/SMT）
- 包装方式
- 剪切带
- RoHS
- 符合（来源记录）
技术参数
13 项参数- 类型
- Silicon Germanium MMIC
- 工作频率
- 0 Hz to 2.7 GHz
- 1 dB 压缩点（P1dB）
- 18 dBm
- 增益
- 18 dB
- 工作电源电压
- 6 V
- 噪声系数（NF）
- 2.6 dB
- 测试频率
- 2 GHz
- 输出三阶截点（OIP3）
- 29 dBm
- 工作电源电流
- 60 mA
- 工作温度范围
- -65～150 °C
- 耗散功率（Pd）
- 360 mW
- 型号别名
- BGA616H6327XT BGA616H6327XTSA1 SP000753514
展开更多参数（1 项）
- 单件重量
- 0.000226 oz
技术资料与历史库存、参考价供核对使用；当前供货、报价及交期请询价确认，参数相近不代表可直接替代。