SMA3109-TL-E
ON Semiconductor
RF Amplifier High Freq Wideband Amplifier MMIC射频与无线
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型号列表
20,447 条型号记录BGA2867,115
NXP Semiconductors · 封装：SOT-363-6
主要参数包括工作频率 0 Hz to 2.2 GHz、1 dB 压缩点（P1dB） 8 dBm、增益 26.4 dB、噪声系数（NF） 3.6 dB、输出三阶截点（OIP3） 17 dBm、型号别名 935295974115，采用 SOT-363-6 封装。SMA3103-TL-E
ON Semiconductor · 封装：SOT-363-6
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 5 V、工作频率 3.3 GHz、频率范围 0.1～3.3 GHz、类型 MMIC Amplifier、1 dB 压缩点（P1dB） 5 dBm，采用 SOT-363-6 封装。BGU7045,115
NXP Semiconductors · 封装：SOT-363-6
主要参数包括工作电源电压 3.3 V、工作频率 40 MHz to 1 GHz、技术 硅、类型 Low Noise Amplifier、1 dB 压缩点（P1dB） 13 dBm、增益 14 dB，采用 SOT-363-6 封装。BGU8019X
NXP Semiconductors
主要参数包括型号别名 934067956115、单件重量 0.000026 oz。SA604AD/01,118
NXP Semiconductors · 封装：SO-16
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 4.5～8 V、工作频率 25 MHz、类型 FM IF System、增益 39 dB、工作电源电流 3.3 mA，采用 SO-16 封装。BGA7204,115
NXP Semiconductors · 封装：HVQFN-32
主要参数包括工作频率 400 MHz to 2.75 GHz、1 dB 压缩点（P1dB） 21 dBm、增益 16.5 dB、噪声系数（NF） 7 dB、输出三阶截点（OIP3） 38 dBm、型号别名 935292558115，采用 HVQFN-32 封装。CMPA801B025F-TB
Wolfspeed / Cree · 封装：-
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 28 V、工作频率 8.5～11 GHz、技术 氮化镓（GaN）、类型 Power Amplifier、1 dB 压缩点（P1dB） 45.8 dBm，采用 - 封装。BGA3031X
NXP Semiconductors · 封装：HVQFN-20
主要参数包括工作电源电压 5 V、工作频率 5～85 MHz、技术 硅、类型 Upstream Amplifier、1 dB 压缩点（P1dB） 74 dBm、增益 34 dB，采用 HVQFN-20 封装。SKY66186-11
Skyworks Solutions, Inc. · 封装：SMD-28
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 3.3 V、工作频率 728～768 MHz、测试频率 748 MHz、类型 Linear Power Amplifier、1 dB 压缩点（P1dB） 31 dBm，采用 SMD-28 封装。HMC7543-SX
Analog Devices · 封装：RF Amplifier
主要参数包括通道数 1 个通道，采用 RF Amplifier 封装。BGA3031J
NXP Semiconductors
主要参数包括型号别名 935299504118、单件重量 0.002157 oz。HMC443LP4ETR
Analog Devices / Hittite · 封装：QFN-24
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、电源电压（最小值） 4.5 V、工作频率 9.8～11.2 GHz、技术 GaAs，采用 QFN-24 封装。MAX2695EWS+T
Maxim Integrated
主要参数包括型号别名 MAX2695。SKY66184-11
Skyworks Solutions, Inc. · 封装：SMD-28
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 3～3.6 V、工作频率 2110～2170 MHz、测试频率 2140 MHz、技术 硅、类型 Linear Power Amplifier，采用 SMD-28 封装。HMC-AUH312-SX
Analog Devices
主要参数包括通道数 1 个通道。HMC562-SX
Analog Devices · 封装：Die
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 8 V、工作频率 2～35 GHz、测试频率 27～35 GHz、技术 GaAs、类型 Wideband Driver Amplifier，采用 Die 封装。HMC772LC4TR
Analog Devices / Hittite · 封装：QFN-24
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 4 V、工作频率 2～12 GHz、技术 GaAs、类型 Low Noise Amplifier、1 dB 压缩点（P1dB） 13 dBm，采用 QFN-24 封装。BGU8053X
NXP Semiconductors
主要参数包括型号别名 935298613115、单件重量 0.000304 oz。MAX3520ETP+
Maxim Integrated
主要参数包括型号别名 MAX3520。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。