NXP Semiconductors
BGU7045,115
主要参数包括工作电源电压 3.3 V、工作频率 40 MHz to 1 GHz、技术 硅、类型 Low Noise Amplifier、1 dB 压缩点（P1dB） 13 dBm、增益 14 dB，采用 SOT-363-6 封装。
基本资料
查看数据手册 ↗- 制造商
- NXP
- 品牌
- NXP Semiconductors
- 产品类别
- RF Amplifier
- 产品系列
- BGU7045
- 封装
- SOT-363-6
- 安装方式
- 表面贴装（SMD/SMT）
- 包装方式
- 剪切带
- RoHS
- 符合（来源记录）
技术参数
15 项参数- 类型
- Low Noise Amplifier
- 技术
- 硅
- 工作频率
- 40 MHz to 1 GHz
- 1 dB 压缩点（P1dB）
- 13 dBm
- 增益
- 14 dB
- 工作电源电压
- 3.3 V
- 噪声系数（NF）
- 2.8 dB
- 输出三阶截点（OIP3）
- 29 dBm
- 工作电源电流
- 34 mA
- 工作温度范围
- -40～85 °C
- 产品
- Variable Gain Amplifiers
- 输入回波损耗
- 20 dB
展开更多参数（3 项）
- 耗散功率（Pd）
- 250 mW
- 型号别名
- 935296064115
- 单件重量
- 0.000192 oz
技术资料与历史库存、参考价供核对使用；当前供货、报价及交期请询价确认，参数相近不代表可直接替代。