MAX2633EUT+T
Maxim Integrated
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 3 V, 5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、电源电压（最小值） 2.7 V、工作频率 800 MHz to 1 GHz、类型 General Purpose Amplifier。射频与无线
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型号列表
20,447 条型号记录MAX2613ETA+T
Maxim Integrated · 封装：TDFN-EP-8
主要参数包括型号别名 MAX2613，采用 TDFN-EP-8 封装。TRF37B75IDSGR
Texas Instruments · 封装：WSON-8
主要参数包括工作频率 40～4000 MHz、测试频率 2 GHz、类型 Gain Block Amplifier、1 dB 压缩点（P1dB） 17.5 dBm、增益 15 dB、噪声系数（NF） 3.8 dB，采用 WSON-8 封装。HMC618ALP3ETR
Analog Devices
主要参数包括通道数 1 个通道。AD8351ARMZ-REEL7
Analog Devices · 封装：MSOP
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、电源电压（最小值） 3 V、工作电源电流 28 mA、最小工作温度 - 40 C，采用 MSOP 封装。MAAL-011111-TR0500
MACOM · 封装：PQFN-16
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 7 V、工作频率 22～38 GHz、技术 GaAs、类型 Low Noise Amplifier、1 dB 压缩点（P1dB） 5 dBm，采用 PQFN-16 封装。ADA4304-4ACPZ-R7
Analog Devices · 封装：LFCSP-16
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 5 V、电源电压（最大值） 5.25 V、电源电压（最小值） 4.75 V、工作频率 54～865 MHz、测试频率 865 MHz，采用 LFCSP-16 封装。HMC499LC4TR
Analog Devices · 封装：QFN-EP-24
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 5 V、工作频率 21～32 GHz、技术 GaAs、类型 Medium Power Amplifier、1 dB 压缩点（P1dB） 23 dBm，采用 QFN-EP-24 封装。SML1
MACOM · 封装：SMT-4
主要参数包括工作电源电压 15 V、工作频率 3 GHz、测试频率 3 GHz、频率范围 5 MHz to 3 GHz、技术 GaAs、类型 Limiting Amplifier，采用 SMT-4 封装。HMC565LC5TR
Analog Devices / Hittite · 封装：QFN-EP-32
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 3 V、工作频率 6～20 GHz、技术 GaAs、类型 Low Noise Amplifier、1 dB 压缩点（P1dB） 10 dBm，采用 QFN-EP-32 封装。ADL5390ACPZ-REEL7
Analog Devices · 封装：LFCSP-24
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 5 V、电源电压（最大值） 5.25 V、电源电压（最小值） 4.75 V、类型 Vector Multiplier、工作电源电流 135 mA，采用 LFCSP-24 封装。MMG20271H9T1
NXP / Freescale · 封装：SOT-89
主要参数包括工作电源电压 5 V、工作频率 1.5～2.7 GHz、类型 High Linearity Amplifier、噪声系数（NF） 1.9 dB、工作电源电流 215 mA、型号别名 935310907147，采用 SOT-89 封装。SE5003L-R
Skyworks Solutions, Inc. · 封装：QFN-20
主要参数包括工作电源电压 5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、电源电压（最小值） 3 V、工作频率 5.15～5.85 GHz、测试频率 5.4 GHz、类型 Power Amplifier，采用 QFN-20 封装。MAAL-010706-TR3000
MACOM · 封装：PDFN-8
主要参数包括工作电源电压 4 V、电源电压（最大值） 5.5 V、电源电压（最小值） 3 V、工作频率 1.4～4 GHz、测试频率 1.85 GHz、类型 Low Noise Amplifier，采用 PDFN-8 封装。SKY65981-11
Skyworks Solutions, Inc.
主要参数包括工作电源电压 2.8～3.6 V、类型 Low Noise Amplifier、最小工作温度 - 40 C、最大工作温度 + 85 C。HMC452ST89ETR
Analog Devices / Hittite · 封装：SOT-89-4
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 5 V、工作频率 0.4～2.2 GHz、技术 GaAs InGaP、类型 Power Amplifier、1 dB 压缩点（P1dB） 31.5 dBm，采用 SOT-89-4 封装。HMC606LC5TR
Analog Devices / Hittite · 封装：Die
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 5 V、工作频率 2～18 GHz、技术 GaAs InGaP、类型 Ultra-Low Phase Noise、1 dB 压缩点（P1dB） 15 dBm，采用 Die 封装。HMC573LC3BTR
Analog Devices / Hittite · 封装：QFN-EP-16
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、电源电压（最小值） 4.5 V、工作频率 8～22 GHz、技术 GaAs，采用 QFN-EP-16 封装。HMC311ST89ETR
Analog Devices / Hittite · 封装：SOT-89-3
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 5 V、工作频率 DC to 6 GHz、技术 GaAs InGaP、类型 HBT Gain Block、1 dB 压缩点（P1dB） 15.5 dBm，采用 SOT-89-3 封装。MAX2643EXT+T
Maxim Integrated
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 3 V, 5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、电源电压（最小值） 2.7 V、工作频率 900 MHz、测试频率 900 MHz。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。