Analog Devices / Hittite
HMC452ST89ETR
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 5 V、工作频率 0.4～2.2 GHz、技术 GaAs InGaP、类型 Power Amplifier、1 dB 压缩点（P1dB） 31.5 dBm，采用 SOT-89-4 封装。
基本资料
查看数据手册 ↗- 制造商
- Analog Devices Inc.
- 品牌
- Analog Devices / Hittite
- 产品类别
- RF Amplifier
- 产品系列
- HMC452
- 封装
- SOT-89-4
- 安装方式
- 表面贴装（SMD/SMT）
- 包装方式
- 剪切带
- RoHS
- 符合（来源记录）
技术参数
15 项参数- 类型
- Power Amplifier
- 技术
- GaAs InGaP
- 工作频率
- 0.4～2.2 GHz
- 1 dB 压缩点（P1dB）
- 31.5 dBm
- 增益
- 9 dB
- 工作电源电压
- 5 V
- 噪声系数（NF）
- 6.5 dB
- 输出三阶截点（OIP3）
- 49 dBm
- 工作电源电流
- 510 mA
- 工作温度范围
- -40～85 °C
- 产品
- InGaP/GaAs HBT
- 通道数
- 1 个通道
展开更多参数（3 项）
- 输入回波损耗
- 20 dB
- 耗散功率（Pd）
- 2.7 W
- 单件重量
- 0.002042 oz
技术资料与历史库存、参考价供核对使用；当前供货、报价及交期请询价确认，参数相近不代表可直接替代。