TGA2594
Qorvo
主要参数包括工作电源电压 20 V、电源电压（最大值） 22 V、工作频率 27～31 GHz、技术 GaN SiC、类型 Power Amplifier、1 dB 压缩点（P1dB） 37 dBm。射频与无线
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型号列表
20,447 条型号记录TGA4522
Qorvo · 封装：Die
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 6 V、电源电压（最大值） 8 V、工作频率 33～47 GHz、技术 GaAs、类型 Ka-Band Wideband Driver Amplifier，采用 Die 封装。TGA4517
Qorvo · 封装：4.35 mm x 3.9 mm
主要参数包括工作电源电压 6.5 V、工作频率 31～37 GHz、类型 Power Amplifier、工作电源电流 4 A、型号别名 1023533，采用 4.35 mm x 3.9 mm 封装。TGA2227
Qorvo · 封装：Die
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 8 V, 15 V、电源电压（最大值） 20 V、电源电压（最小值） 5 V、工作频率 2～22 GHz、测试频率 10 MHz，采用 Die 封装。TGA2512
Qorvo
主要参数包括工作电源电压 5 V、工作频率 5～15 GHz、技术 GaAs、类型 Low Noise Amplifier、1 dB 压缩点（P1dB） 13 dBm、增益 27 dB。XD1001-BD-000V
MACOM
RF Amplifier 18-50GHz Gain 17dB NF 5dB GaAsTGA2214
Qorvo
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 22 V、工作频率 2～18 GHz、技术 氮化镓（GaN）、类型 Power Amplifier、增益 22 dB。TGA2611
Qorvo
主要参数包括型号别名 1110608。TGA4516
Qorvo · 封装：Die
主要参数包括工作电源电压 6 V、电源电压（最大值） 6.5 V、工作频率 30～40 GHz、测试频率 30～40 GHz、技术 GaAs、类型 Power Amplifier，采用 Die 封装。HMC-ALH382
Analog Devices / Hittite · 封装：Die
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 2.5 V、工作频率 65 GHz、频率范围 57～65 GHz、技术 GaAs、类型 RF Amplifier，采用 Die 封装。TGA2701
Qorvo
主要参数包括型号别名 1031540。TGA4516-TS
Qorvo
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 6 V、工作频率 40 GHz、频率范围 30～40 GHz、类型 Power Amplifier、1 dB 压缩点（P1dB） 33 dBm。TGA2216
Qorvo · 封装：1.8 mm x 1.8 mm x 0.1 mm
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 48 V、电源电压（最大值） 50 V、电源电压（最小值） 40 V、工作频率 3 GHz、频率范围 0.1～3 GHz，采用 1.8 mm x 1.8 mm x 0.1 mm 封装。TGA2958
Qorvo
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 20 V、工作频率 13～18 GHz、技术 氮化镓（GaN）、类型 Driver Amplifier、增益 20 dB。HMC576
Analog Devices / Hittite · 封装：Die
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、电源电压（最小值） 4.5 V、工作频率 18～29 GHz、技术 GaAs，采用 Die 封装。HMC-ALH509
Analog Devices / Hittite · 封装：QFN-16
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 2 V、工作频率 86 GHz、频率范围 DC to 6 GHz、技术 GaAs InGaP、类型 RF Amplifier，采用 QFN-16 封装。TGA2598
Qorvo
主要参数包括型号别名 1110978。HMC561LP3E
Analog Devices / Hittite · 封装：QFN-16
主要参数包括通道数 2 个通道、工作电源电压 5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、电源电压（最小值） 4.5 V、工作频率 8～21 GHz、技术 GaAs，采用 QFN-16 封装。HMC451LC3TR
Analog Devices / Hittite · 封装：QFN-40
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 5 V、工作频率 20 GHz、频率范围 DC to 4 GHz、技术 GaAs、类型 RF Amplifier，采用 QFN-40 封装。HMC963LC4
Analog Devices / Hittite · 封装：QFN-24
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 3.5 V、工作频率 26.5 GHz、频率范围 6～26.5 GHz、技术 GaAs、类型 RF Amplifier，采用 QFN-24 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。