Analog Devices / Hittite
HMC-ALH509
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 2 V、工作频率 86 GHz、频率范围 DC to 6 GHz、技术 GaAs InGaP、类型 RF Amplifier，采用 QFN-16 封装。
基本资料
查看数据手册 ↗- 制造商
- Analog Devices Inc.
- 品牌
- Analog Devices / Hittite
- 产品类别
- RF Amplifier
- 产品系列
- HMC-ALH509G
- 封装
- QFN-16
- 安装方式
- 表面贴装（SMD/SMT）
- 包装方式
- Gel Pack
- RoHS
- 符合（来源记录）
技术参数
14 项参数- 类型
- RF Amplifier
- 技术
- GaAs InGaP
- 工作频率
- 86 GHz
- 1 dB 压缩点（P1dB）
- 7 dBm
- 增益
- 14 dB
- 工作电源电压
- 2 V
- 噪声系数（NF）
- 5 dB
- 工作电源电流
- 55 mA
- 工作温度范围
- -40～85 °C
- 频率范围
- DC to 6 GHz
- 通道数
- 1 个通道
- 输入回波损耗
- 13 dB
展开更多参数（2 项）
- 耗散功率（Pd）
- 0.339 W
- 单件重量
- 0.002014 oz
技术资料与历史库存、参考价供核对使用；当前供货、报价及交期请询价确认，参数相近不代表可直接替代。