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型号列表

20,447 条型号记录
每页 20 条

TGA2583-SM

Qorvo · 封装:QFN-32

主要参数包括通道数 1 个通道、工作频率 2.7~3.7 GHz、测试频率 2.9 GHz、技术 GaN SiC、类型 MMIC Power Amplifier、1 dB 压缩点(P1dB) 40.5 dBm,采用 QFN-32 封装。

TGA2216-SM

Qorvo · 封装:QFN-32

主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 40 V、电源电压(最大值) 48 V、工作频率 0.1~3 GHz、技术 GaN SiC、类型 GaN Power Doubler MMIC,采用 QFN-32 封装。

HMC463LP5E

Analog Devices / Hittite · 封装:QFN-32

主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 5 V、工作频率 20 GHz、频率范围 2~20 GHz、技术 GaAs、类型 RF Amplifier,采用 QFN-32 封装。

TGA2975-SM

Qorvo · 封装:QFN-24

主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 20~32 V、工作频率 2.7~3.5 GHz、技术 氮化镓(GaN)、类型 MMIC Power Amplifier、增益 31 dB,采用 QFN-24 封装。

XP1044-QL-0N00

MACOM · 封装:SMT-28

主要参数包括工作电源电压 8 V、工作频率 5.9 GHz、测试频率 5.8 GHz、频率范围 4~5.9 GHz、技术 GaAs、类型 Power Amplifier,采用 SMT-28 封装。

CMPA1D1E025F

Wolfspeed / Cree

主要参数包括通道数 1 个通道、电源电压(最大值) 40 V、工作频率 14.5 GHz、测试频率 1.6 MHz、频率范围 13.75~14.5 GHz、技术 氮化镓(GaN)。

CMPA2735075F

Cree, Inc. · 封装:0.5 in x 0.5 in

主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 28 V、工作频率 2.7~3.5 GHz、测试频率 2.7~3.5 GHz、技术 氮化镓(GaN)、类型 RF Power Amplifier,采用 0.5 in x 0.5 in 封装。

TGA2595-CP

Qorvo

主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 20 V、工作频率 27.5~31 GHz、技术 氮化镓(GaN)、类型 Power Amplifier、增益 21 dB。

TGA2622-CP

Qorvo

主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 28 V、工作频率 10 GHz、频率范围 9~10 GHz、技术 GaN SiC、类型 X-Band Power Amplifier。

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