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Qorvo

TGA2216-SM

主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 40 V、电源电压(最大值) 48 V、工作频率 0.1~3 GHz、技术 GaN SiC、类型 GaN Power Doubler MMIC,采用 QFN-32 封装。

基本资料

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品牌 / 制造商
Qorvo
产品类别
RF Amplifier
封装
QFN-32
安装方式
表面贴装(SMD/SMT)
RoHS
符合(来源记录)

技术参数

15 项参数
类型
GaN Power Doubler MMIC
技术
GaN SiC
工作频率
0.1~3 GHz
1 dB 压缩点(P1dB)
35 dBm
增益
21 dB
工作电源电压
40 V
工作电源电流
360 mA
产品
氮化镓(GaN)
通道数
1 个通道
输入回波损耗
8 dB
湿敏性
是
耗散功率(Pd)
28 W
展开更多参数(3 项)
电源电压(最大值)
48 V
型号别名
1115736
单件重量
0.006653 oz

技术资料与历史库存、参考价供核对使用;当前供货、报价及交期请询价确认,参数相近不代表可直接替代。

TGA2216-SM 技术参数与数据手册|ChipSourceHub 美芯科技