SKY65611-11
Skyworks Solutions, Inc. · 封装：DFN-6
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 1.5～3 V、工作频率 1.559～1.606 GHz、技术 SiGe、类型 GPS、1 dB 压缩点（P1dB） - 16.5 dBm，采用 DFN-6 封装。射频与无线
按型号、制造商与产品类别查询芯片技术资料。
型号列表
20,447 条型号记录BGA7M1N6E6327XTSA1
Infineon Technologies · 封装：TSNP-6
主要参数包括工作电源电压 3.3 V、工作频率 1805～2200 MHz、类型 Low Noise Amplifier、增益 13 dB、噪声系数（NF） 0.6 dB、输出三阶截点（OIP3） 8 dBm，采用 TSNP-6 封装。BGM15LA12E6327XTSA1
Infineon Technologies · 封装：SLP-12
主要参数包括工作电源电压 3.3 V、工作频率 0.7～1 GHz、类型 Low Band、1 dB 压缩点（P1dB） - 11 dBm、增益 17.5 dB、噪声系数（NF） 1.1 dB，采用 SLP-12 封装。BGA7H1N6E6327XTSA1
Infineon Technologies · 封装：TSNP-6
主要参数包括工作电源电压 3.3 V、工作频率 2300～2690 MHz、技术 SiGe、类型 LNA for LTE、1 dB 压缩点（P1dB） - 1 dBm、增益 12.5 dB，采用 TSNP-6 封装。BGU7258X
NXP Semiconductors · 封装：QFN-6
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 3.3 V、工作频率 5 GHz、测试频率 5.9 GHz、频率范围 4.9～5.925 GHz、技术 SiGe，采用 QFN-6 封装。HMC451LP3E
Analog Devices / Hittite · 封装：LFCSP-16
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 5 V、工作频率 18 GHz、频率范围 5～18 GHz、技术 GaAs、类型 RF Amplifier，采用 LFCSP-16 封装。SE5004L-R
Skyworks Solutions, Inc. · 封装：QFN-20
主要参数包括工作电源电压 5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、电源电压（最小值） 3 V、工作频率 5.15～5.85 GHz、测试频率 5.4 GHz、类型 Power Amplifier，采用 QFN-20 封装。MAAL-009120-TR3000
MACOM
RF Amplifier 70-3000MHz NF 1.8dB Gain 11dBSE2604L-R
Skyworks Solutions, Inc. · 封装：QFN-16
主要参数包括工作电源电压 3.3 V、电源电压（最大值） 3.6 V、电源电压（最小值） 2.9 V、工作频率 2.4～2.5 GHz、测试频率 2.45 GHz、类型 Wireless LAN Power Amplifier，采用 QFN-16 封装。TQM776011
Qorvo · 封装：DFN-EP-10
主要参数包括湿敏性 是、型号别名 1069916，采用 DFN-EP-10 封装。SGL0622Z
Qorvo
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 2.7～3.6 V、工作频率 5 MHz to 4 GHz、测试频率 3.5 GHz、技术 SiGe、类型 Low Noise Amplifier。MAX2655EXT+T
Maxim Integrated · 封装：SC-70-6
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 3 V, 5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、电源电压（最小值） 2.7 V、工作频率 1.7 GHz、测试频率 1.575 GHz，采用 SC-70-6 封装。MAAL-010528-TR0500
MACOM
RF Amplifier 8-12GHz NF 1.6dB P1dB 14dBmADL5605ACPZ-R7
Analog Devices · 封装：LFCSP-16
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 5.25 V、电源电压（最大值） 5 V、电源电压（最小值） 4.75 V、工作频率 700～1000 MHz、类型 RF Driver，采用 LFCSP-16 封装。HMC753LP4ETR
Analog Devices / Hittite · 封装：QFN-24
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 5 V、工作频率 1～11 GHz、技术 GaAs、类型 Low Noise Amplifier、1 dB 压缩点（P1dB） 18 dBm，采用 QFN-24 封装。MW7IC930NR1
NXP / Freescale · 封装：TO-270 WB-16
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 28 V、工作频率 960 MHz、频率范围 920～960 MHz、类型 Power Amplifier、1 dB 压缩点（P1dB） 44.9 dBm，采用 TO-270 WB-16 封装。MW7IC2020NT1
NXP / Freescale · 封装：PQFN-24
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 26～32 V、工作频率 1.805～2.17 GHz、类型 LDMOS Wideband、湿敏性 是、型号别名 935321681528，采用 PQFN-24 封装。HMC561LP3ETR
Analog Devices / Hittite · 封装：QFN-16
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、电源电压（最小值） 4.5 V、工作频率 8～21 GHz、技术 GaAs，采用 QFN-16 封装。MAAL-007304-TR3000
MACOM · 封装：SOT-26
主要参数包括工作电源电压 3 V、电源电压（最大值） 5 V、电源电压（最小值） 3 V、工作频率 500 MHz to 2.3 GHz、测试频率 2.3 GHz、类型 Low Noise Amplifier，采用 SOT-26 封装。MAAP-010168-000000
MACOM · 封装：CFlange-10
主要参数包括工作电源电压 10 V、工作频率 3 GHz、测试频率 3 GHz、频率范围 0.5～3 GHz、技术 GaAs、类型 Power Amplifier，采用 CFlange-10 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。