Infineon Technologies
BGA7H1N6E6327XTSA1
主要参数包括工作电源电压 3.3 V、工作频率 2300～2690 MHz、技术 SiGe、类型 LNA for LTE、1 dB 压缩点（P1dB） - 1 dBm、增益 12.5 dB，采用 TSNP-6 封装。
基本资料
查看数据手册 ↗- 制造商
- Infineon
- 品牌
- Infineon Technologies
- 产品类别
- RF Amplifier
- 封装
- TSNP-6
- 安装方式
- 表面贴装（SMD/SMT）
- 包装方式
- 剪切带
- RoHS
- 符合（来源记录）
技术参数
15 项参数- 类型
- LNA for LTE
- 技术
- SiGe
- 工作频率
- 2300～2690 MHz
- 1 dB 压缩点（P1dB）
- - 1 dBm
- 增益
- 12.5 dB
- 工作电源电压
- 3.3 V
- 噪声系数（NF）
- 0.6 dB
- 输出三阶截点（OIP3）
- 6 dBm
- 工作电源电流
- 4.7 mA
- 工作温度范围
- -40～85 °C
- 输入回波损耗
- 11 dB
- 隔离度（dB）
- 21 dB
展开更多参数（3 项）
- 耗散功率（Pd）
- 60 mW
- 型号别名
- 7H1N6 BGA E6327 SP001109130
- 单件重量
- 0.000032 oz
技术资料与历史库存、参考价供核对使用；当前供货、报价及交期请询价确认，参数相近不代表可直接替代。