TQM8M9075
Qorvo · 封装：QFN-32
主要参数包括工作电源电压 5 V、工作频率 500 MHz to 4 GHz、类型 Digital Variable Gain Amplifier、噪声系数（NF） 2.9 dB、工作电源电流 88 mA、最小工作温度 - 40 C，采用 QFN-32 封装。射频与无线
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型号列表
20,447 条型号记录TQP9113
Qorvo · 封装：QFN-20
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 5 V、工作频率 2.7 GHz、频率范围 1.8～2.7 GHz、技术 硅、类型 Linear Amplifier，采用 QFN-20 封装。TQP3M9041
Qorvo · 封装：QFN-16
主要参数包括工作电源电压 2～5 V、工作频率 2300～6000 MHz、测试频率 2600 MHz、类型 Base Station Receivers、1 dB 压缩点（P1dB） 22.5 dBm、增益 18.4 dB，采用 QFN-16 封装。TQP9107
Qorvo
主要参数包括湿敏性 是、型号别名 1116797。TQP3M9009
Qorvo · 封装：SOT-89-3
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 5 V、电源电压（最大值） 5.25 V、电源电压（最小值） 4.75 V、工作频率 50 MHz to 4 GHz、测试频率 1.9 GHz，采用 SOT-89-3 封装。TQP3M9028
Qorvo · 封装：SOT-89-3
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 5 V、电源电压（最大值） 5.25 V、电源电压（最小值） 4.75 V、工作频率 50 MHz to 4 GHz、测试频率 1.9 GHz，采用 SOT-89-3 封装。SPF5122Z
Qorvo · 封装：DFN-8
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 5 V、工作频率 50 MHz to 4 GHz、测试频率 1.96 GHz、技术 GaAs、类型 Cellular, WiMAX，采用 DFN-8 封装。TQP3M9035
Qorvo · 封装：DFN-8
主要参数包括工作电源电压 5 V、电源电压（最大值） 5.25 V、工作频率 50 MHz to 4 GHz、测试频率 1.9 GHz、类型 General Purpose Amplifier、1 dB 压缩点（P1dB） 22.5 dBm，采用 DFN-8 封装。BGS8324Z
NXP Semiconductors
主要参数包括型号别名 934068936147、单件重量 0.000137 oz。BGAV1A10E6327XTSA1
Infineon Technologies · 封装：ATSLP
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 1.8 V、工作频率 3.4～3.8 GHz、测试频率 3500 MHz、类型 LNA、1 dB 压缩点（P1dB） 3 dBm，采用 ATSLP 封装。SKY65806-636LF
Skyworks Solutions, Inc. · 封装：DFN-6
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 1.6～3.3 V、工作频率 3400～3800 MHz、类型 LNA、1 dB 压缩点（P1dB） - 8 dBm、增益 13.5 dB，采用 DFN-6 封装。SKY66189-11
Skyworks Solutions, Inc. · 封装：MCM-28
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 3.3 V、工作频率 1930～1995 MHz、测试频率 1.96 GHz、技术 硅、类型 Linear Power Amplifier，采用 MCM-28 封装。BGA8V1BN6E6327XTSA1
Infineon Technologies · 封装：TSNP-6
主要参数包括工作电源电压 1.6～3.1 V、工作频率 3.3～3.8 GHz、技术 SiGe、类型 Low Noise Amplifier、增益 15 dB、噪声系数（NF） 1.2 dB，采用 TSNP-6 封装。SKY65623-682LF
Skyworks Solutions, Inc. · 封装：QFN-5
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 1.8 V、工作频率 1.575 GHz、测试频率 1.575 GHz、频率范围 1.559～1.606 GHz、技术 SiGe，采用 QFN-5 封装。BGA8U1BN6E6327XTSA1
Infineon Technologies · 封装：TSNP-6
主要参数包括工作电源电压 1.6～3.1 V、工作频率 4～6 GHz、技术 SiGe、类型 Low Noise Amplifier、增益 13.7 dB、噪声系数（NF） 1.6 dB，采用 TSNP-6 封装。BGA7L1BN6E6327XTSA1
Infineon Technologies · 封装：TSNP-6-2
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 1.5～3.6 V、工作频率 716～960 MHz、测试频率 840 MHz、技术 硅、类型 Low Noise，采用 TSNP-6-2 封装。SKY66185-11
Skyworks Solutions, Inc. · 封装：SMD-28
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 3.3 V、工作频率 851～894 MHz、测试频率 872.5 MHz、类型 Linear Power Amplifier、1 dB 压缩点（P1dB） 30.8 dBm，采用 SMD-28 封装。SKY65094-360LF
Skyworks Solutions, Inc.
RF Amplifier 698-915MHz NF 3.2dB Gain 17dB IIP3 29dBmBGA5L1BN6E6327XTSA1
Infineon Technologies · 封装：TSNP-6
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 1.5～3.6 V、工作频率 600～1000 MHz、测试频率 840 MHz、技术 SiGe、类型 LNA，采用 TSNP-6 封装。SKY66288-11
Skyworks Solutions, Inc. · 封装：SMD-16
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 5 V、工作频率 5150～5925 MHz、技术 硅、类型 Power Amplifier、增益 34.5 dB，采用 SMD-16 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。