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Infineon Technologies

BGA8U1BN6E6327XTSA1

主要参数包括工作电源电压 1.6~3.1 V、工作频率 4~6 GHz、技术 SiGe、类型 Low Noise Amplifier、增益 13.7 dB、噪声系数(NF) 1.6 dB,采用 TSNP-6 封装。

基本资料

制造商
Infineon
品牌
Infineon Technologies
产品类别
RF Amplifier
封装
TSNP-6
安装方式
表面贴装(SMD/SMT)
包装方式
剪切带
RoHS
符合(来源记录)

技术参数

9 项参数
类型
Low Noise Amplifier
技术
SiGe
工作频率
4~6 GHz
增益
13.7 dB
工作电源电压
1.6~3.1 V
噪声系数(NF)
1.6 dB
工作电源电流
4.5 mA
湿敏性
是
型号别名
8U1BN6 BGA E6327 SP001495624

技术资料与历史库存、参考价供核对使用;当前供货、报价及交期请询价确认,参数相近不代表可直接替代。

BGA8U1BN6E6327XTSA1 技术参数与数据手册|ChipSourceHub 美芯科技