MPFS250T-FCVG784E
Microchip Technology · 封装：FCVBGA-784
该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括最大时钟频率 667 MHz, 667 MHz、嵌入式存储容量 17.6 Mbit、输入／输出数 372 个输入／输出、工作电源电压 1 V、内核 RV64GC, RV64IMAC、内核数 5 Core，采用 FCVBGA-784 封装。FPGA 与可编程逻辑
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27,592 条型号记录MPFS250T-FCVG784I
Microchip Technology · 封装：FCVBGA-784
该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括最大时钟频率 667 MHz, 667 MHz、嵌入式存储容量 17.6 Mbit、输入／输出数 372 个输入／输出、工作电源电压 1 V、内核 RV64GC, RV64IMAC、内核数 5 Core，采用 FCVBGA-784 封装。MPFS250TC-FCG1152E
Microchip Technology · 封装：BGA-1152
该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括最大时钟频率 667 MHz、数据 RAM 容量 17.6 MB、工作电源电压 970 mV to 1.03 V, 1.02 V to 1.08 V、内核 RISC-V、内核数 1 Core、逻辑单元数 254000 LE，采用 BGA-1152 封装。MPFS250TC-FCG1152I
Microchip Technology · 封装：BGA-1152
该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括最大时钟频率 667 MHz、数据 RAM 容量 17.6 MB、工作电源电压 970 mV to 1.03 V, 1.02 V to 1.08 V、内核 RISC-V、内核数 1 Core、逻辑单元数 254000 LE，采用 BGA-1152 封装。MPFS250TC-FCSG536E
Microchip Technology · 封装：LFBGA-536
该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括最大时钟频率 667 MHz、数据 RAM 容量 17.6 MB、工作电源电压 970 mV to 1.03 V, 1.02 V to 1.08 V、内核 RISC-V、内核数 1 Core、逻辑单元数 254000 LE，采用 LFBGA-536 封装。MPFS250TC-FCSG536I
Microchip Technology · 封装：LFBGA-536
该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括最大时钟频率 667 MHz、数据 RAM 容量 17.6 MB、工作电源电压 970 mV to 1.03 V, 1.02 V to 1.08 V、内核 RISC-V、内核数 1 Core、逻辑单元数 254000 LE，采用 LFBGA-536 封装。MPFS250TC-FCVG484E
Microchip Technology · 封装：BGA-784
该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括最大时钟频率 667 MHz、数据 RAM 容量 17.6 MB、工作电源电压 970 mV to 1.03 V, 1.02 V to 1.08 V、内核 RISC-V、内核数 1 Core、逻辑单元数 254000 LE，采用 BGA-784 封装。MPFS250TC-FCVG784I
Microchip Technology
该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括原产国家或地区 韩国、湿敏性 是、商品名称 PolarFire。MPFS250TL-FCG1152E
Microchip Technology · 封装：FCBGA-1152
该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括最大时钟频率 667 MHz, 667 MHz、嵌入式存储容量 17.6 Mbit、输入／输出数 372 个输入／输出、工作电源电压 1 V、内核 RV64GC, RV64IMAC、内核数 5 Core，采用 FCBGA-1152 封装。MPFS250TL-FCG1152I
Microchip Technology · 封装：FCBGA-1152
该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括最大时钟频率 667 MHz, 667 MHz、嵌入式存储容量 17.6 Mbit、输入／输出数 372 个输入／输出、工作电源电压 1 V、内核 RV64GC, RV64IMAC、内核数 5 Core，采用 FCBGA-1152 封装。MPFS250TL-FCSG536E
Microchip Technology · 封装：FCSBGA-536
该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括最大时钟频率 667 MHz, 667 MHz、嵌入式存储容量 17.6 Mbit、输入／输出数 372 个输入／输出、工作电源电压 1 V、内核 RV64GC, RV64IMAC、内核数 5 Core，采用 FCSBGA-536 封装。MPFS250TL-FCSG536I
Microchip Technology · 封装：FCSBGA-536
该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括最大时钟频率 667 MHz, 667 MHz、嵌入式存储容量 17.6 Mbit、输入／输出数 372 个输入／输出、工作电源电压 1 V、内核 RV64GC, RV64IMAC、内核数 5 Core，采用 FCSBGA-536 封装。MPFS250TL-FCVG484E
Microchip Technology · 封装：FCVBGA-484
该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括最大时钟频率 667 MHz, 667 MHz、嵌入式存储容量 17.6 Mbit、输入／输出数 372 个输入／输出、工作电源电压 1 V、内核 RV64GC, RV64IMAC、内核数 5 Core，采用 FCVBGA-484 封装。MPFS250TL-FCVG484I
Microchip Technology · 封装：FCVBGA-484
该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括最大时钟频率 667 MHz, 667 MHz、嵌入式存储容量 17.6 Mbit、输入／输出数 372 个输入／输出、工作电源电压 1 V、内核 RV64GC, RV64IMAC、内核数 5 Core，采用 FCVBGA-484 封装。MPFS250TL-FCVG784E
Microchip Technology · 封装：FCVBGA-784
该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括最大时钟频率 667 MHz, 667 MHz、嵌入式存储容量 17.6 Mbit、输入／输出数 372 个输入／输出、工作电源电压 1 V、内核 RV64GC, RV64IMAC、内核数 5 Core，采用 FCVBGA-784 封装。MPFS250TL-FCVG784I
Microchip Technology · 封装：FCVBGA-784
该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括最大时钟频率 667 MHz, 667 MHz、嵌入式存储容量 17.6 Mbit、输入／输出数 372 个输入／输出、工作电源电压 1 V、内核 RV64GC, RV64IMAC、内核数 5 Core，采用 FCVBGA-784 封装。MPFS250TLS-FCG1152I
Microchip Technology · 封装：FCBGA-1152
该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括最大时钟频率 667 MHz, 667 MHz、嵌入式存储容量 17.6 Mbit、输入／输出数 372 个输入／输出、工作电源电压 1 V、内核 RV64GC, RV64IMAC、内核数 5 Core，采用 FCBGA-1152 封装。MPFS250TLS-FCSG536I
Microchip Technology · 封装：FCSBGA-536
该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括最大时钟频率 667 MHz, 667 MHz、嵌入式存储容量 17.6 Mbit、输入／输出数 372 个输入／输出、工作电源电压 1 V、内核 RV64GC, RV64IMAC、内核数 5 Core，采用 FCSBGA-536 封装。MPFS250TLS-FCVG484I
Microchip Technology · 封装：FCVBGA-484
该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括最大时钟频率 667 MHz, 667 MHz、嵌入式存储容量 17.6 Mbit、输入／输出数 372 个输入／输出、工作电源电压 1 V、内核 RV64GC, RV64IMAC、内核数 5 Core，采用 FCVBGA-484 封装。MPFS250TLS-FCVG784I
Microchip Technology · 封装：FCVBGA-784
该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括最大时钟频率 667 MHz, 667 MHz、嵌入式存储容量 17.6 Mbit、输入／输出数 372 个输入／输出、工作电源电压 1 V、内核 RV64GC, RV64IMAC、内核数 5 Core，采用 FCVBGA-784 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。