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FPGA 与可编程逻辑

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27,592 条型号记录
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XCSU35P-1CMVA361E

AMD / Xilinx

该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括嵌入式存储容量 0 位、晶圆制造国家或地区 中国台湾、原产国家或地区 中国台湾、湿敏性 是、商品名称 Spartan UltraScale+。
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XCSU10P-2CMVA529E

AMD / Xilinx

该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括嵌入式存储容量 0 位、原产国家或地区 中国台湾、湿敏性 是、商品名称 Spartan UltraScale+。
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XCSU10P-1CMVA529I

AMD / Xilinx

该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括嵌入式存储容量 0 位、原产国家或地区 中国台湾、湿敏性 是、商品名称 Spartan UltraScale+。
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XCSU10P-1CMVA529E

AMD / Xilinx

该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括嵌入式存储容量 0 位、原产国家或地区 中国台湾、湿敏性 是、商品名称 Spartan UltraScale+。
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XCKU5P-2FFVB676I

AMD / Xilinx · 封装：FBGA-676

该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括嵌入式存储容量 16.9 Mbit、输入／输出数 256 个输入／输出、电源电压（最小值） 825 mV、电源电压（最大值） 876 mV、工作电源电压 850 mV、数据速率 16.3 Gb/s，采用 FBGA-676 封装。
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XCKU5P-2FFVB676E

AMD / Xilinx · 封装：FBGA-676

该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括嵌入式存储容量 16.9 Mbit、输入／输出数 256 个输入／输出、电源电压（最小值） 825 mV、电源电压（最大值） 876 mV、工作电源电压 850 mV、数据速率 16.3 Gb/s，采用 FBGA-676 封装。
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XC7S75-L1FGGA484I

AMD / Xilinx · 封装：FBGA-484

该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括嵌入式存储容量 3.16 Mbit、输入／输出数 338 个输入／输出、电源电压（最小值） 950 mV、电源电压（最大值） 1.05 V、工作电源电压 1 V、逻辑单元数 76800 LE，采用 FBGA-484 封装。
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XC7S75-2FGGA676I

AMD / Xilinx · 封装：FBGA-676

该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括嵌入式存储容量 3.16 Mbit、输入／输出数 400 个输入／输出、电源电压（最小值） 950 mV、电源电压（最大值） 1.05 V、工作电源电压 1 V、逻辑单元数 76800 LE，采用 FBGA-676 封装。
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XC7S75-2FGGA676C

AMD / Xilinx · 封装：FBGA-676

该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括嵌入式存储容量 3.16 Mbit、输入／输出数 400 个输入／输出、电源电压（最小值） 950 mV、电源电压（最大值） 1.05 V、工作电源电压 1 V、逻辑单元数 76800 LE，采用 FBGA-676 封装。
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XC7S75-2FGGA484I

AMD / Xilinx · 封装：FBGA-484

该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括嵌入式存储容量 3.16 Mbit、输入／输出数 338 个输入／输出、电源电压（最小值） 950 mV、电源电压（最大值） 1.05 V、工作电源电压 1 V、逻辑单元数 76800 LE，采用 FBGA-484 封装。
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XC6SLX100T-3FG900I

AMD / Xilinx · 封装：FBGA-900

该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括嵌入式存储容量 4.71 Mbit、输入／输出数 498 个输入／输出、电源电压（最小值） 1.2 V、电源电压（最大值） 1.2 V、工作电源电压 1.2 V、数据速率 800 Mb/s，采用 FBGA-900 封装。
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XC6VHX255T-2FFG1923C

AMD / Xilinx · 封装：FBGA-1923

该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括嵌入式存储容量 18.14 Mbit、输入／输出数 480 个输入／输出、电源电压（最小值） 1 V、电源电压（最大值） 1 V、工作电源电压 1 V、数据速率 6.6 Gb/s, 11 Gb/s，采用 FBGA-1923 封装。
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XC6SLX100T-3FGG484C

AMD / Xilinx · 封装：FCBGA-484

该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括嵌入式存储容量 4.71 Mbit、输入／输出数 296 个输入／输出、电源电压（最小值） 1.14 V、电源电压（最大值） 1.26 V、工作电源电压 1.2 V、数据速率 3.2 Gb/s，采用 FCBGA-484 封装。
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XC6SLX75-2FGG676I

AMD / Xilinx · 封装：FBGA-676

该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括嵌入式存储容量 3.02 Mbit、输入／输出数 408 个输入／输出、电源电压（最小值） 1.14 V、电源电压（最大值） 1.26 V、工作电源电压 1.2 V、最大工作频率 1.08 GHz，采用 FBGA-676 封装。
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XC6SLX75-3CSG484C

AMD / Xilinx · 封装：CSBGA-484

该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括嵌入式存储容量 3.02 Mbit、输入／输出数 328 个输入／输出、电源电压（最小值） 1.2 V、电源电压（最大值） 1.2 V、工作电源电压 1.2 V、最大工作频率 1.08 GHz，采用 CSBGA-484 封装。
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XC6SLX9-2FTG256I

AMD / Xilinx · 封装：FBGA-256

该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括嵌入式存储容量 576 kbit、输入／输出数 186 个输入／输出、电源电压（最小值） 1.14 V、电源电压（最大值） 1.26 V、工作电源电压 1.2 V、最大工作频率 1.08 GHz，采用 FBGA-256 封装。
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XC6SLX9-2TQG144C

AMD / Xilinx · 封装：TQFP-144

该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括嵌入式存储容量 576 kbit、输入／输出数 102 个输入／输出、电源电压（最小值） 1.14 V、电源电压（最大值） 1.26 V、工作电源电压 1.2 V、最大工作频率 1.08 GHz，采用 TQFP-144 封装。
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XC6SLX9-2TQG144I

AMD / Xilinx · 封装：TQFP-144

该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括嵌入式存储容量 576 kbit、输入／输出数 102 个输入／输出、电源电压（最小值） 1.14 V、电源电压（最大值） 1.26 V、工作电源电压 1.2 V、最大工作频率 1.08 GHz，采用 TQFP-144 封装。
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XC6SLX9-3CPG196C

AMD / Xilinx · 封装：FBGA-196

该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括嵌入式存储容量 576 kbit、输入／输出数 106 个输入／输出、电源电压（最小值） 1.2 V、电源电压（最大值） 1.2 V、工作电源电压 1.2 V、最大工作频率 1.08 GHz，采用 FBGA-196 封装。
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XC6SLX9-3CPG196I

AMD / Xilinx · 封装：FBGA-196

该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括嵌入式存储容量 576 kbit、输入／输出数 106 个输入／输出、电源电压（最小值） 1.2 V、电源电压（最大值） 1.2 V、工作电源电压 1.2 V、最大工作频率 1.08 GHz，采用 FBGA-196 封装。
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