XC7V585T-2FFG1761I
AMD / Xilinx · 封装：FCBGA-1761
该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括嵌入式存储容量 27.95 Mbit、输入／输出数 850 个输入／输出、电源电压（最小值） 1.2 V、电源电压（最大值） 3.3 V、工作电源电压 1.2～3.3 V、数据速率 28.05 Gb/s，采用 FCBGA-1761 封装。FPGA 与可编程逻辑
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27,592 条型号记录XC7V585T-2FFG1761C
AMD / Xilinx · 封装：FCBGA-1761
该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括嵌入式存储容量 27.95 Mbit、输入／输出数 850 个输入／输出、电源电压（最小值） 1.2 V、电源电压（最大值） 3.3 V、工作电源电压 1.2～3.3 V、数据速率 28.05 Gb/s，采用 FCBGA-1761 封装。XC7V585T-2FFG1157I
AMD / Xilinx · 封装：FCBGA-1157
该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括嵌入式存储容量 27.95 Mbit、输入／输出数 600 个输入／输出、电源电压（最小值） 1.2 V、电源电压（最大值） 3.3 V、工作电源电压 1.2～3.3 V、数据速率 28.05 Gb/s，采用 FCBGA-1157 封装。XC7V585T-1FFG1761I
AMD / Xilinx · 封装：FCBGA-1761
该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括嵌入式存储容量 27.95 Mbit、输入／输出数 850 个输入／输出、电源电压（最小值） 1.2 V、电源电压（最大值） 3.3 V、工作电源电压 1.2～3.3 V、数据速率 28.05 Gb/s，采用 FCBGA-1761 封装。XC7V585T-1FFG1761C
AMD / Xilinx · 封装：FCBGA-1761
该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括嵌入式存储容量 27.95 Mbit、输入／输出数 850 个输入／输出、电源电压（最小值） 1.2 V、电源电压（最大值） 3.3 V、工作电源电压 1.2～3.3 V、数据速率 28.05 Gb/s，采用 FCBGA-1761 封装。XC7V585T-1FFG1157I
AMD / Xilinx · 封装：FCBGA-1157
该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括嵌入式存储容量 27.95 Mbit、输入／输出数 600 个输入／输出、数据速率 28.05 Gb/s、逻辑单元数 582720 LE、自适应逻辑模块数（ALM） 91050 ALM、最小工作温度 - 40 C，采用 FCBGA-1157 封装。XC7V585T-1FFG1157C
AMD / Xilinx · 封装：FCBGA-1157
该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括嵌入式存储容量 27.95 Mbit、输入／输出数 600 个输入／输出、电源电压（最小值） 1.2 V、电源电压（最大值） 3.3 V、工作电源电压 1.2～3.3 V、数据速率 28.05 Gb/s，采用 FCBGA-1157 封装。XC7V585T-1FF1761I
AMD / Xilinx · 封装：FCBGA-1761
该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括嵌入式存储容量 27.95 Mbit、输入／输出数 850 个输入／输出、电源电压（最小值） 1.2 V、电源电压（最大值） 3.3 V、工作电源电压 1.2～3.3 V、数据速率 28.05 Gb/s，采用 FCBGA-1761 封装。XC7S75-2FGGA484C
AMD / Xilinx · 封装：FBGA-484
该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括嵌入式存储容量 3.16 Mbit、输入／输出数 338 个输入／输出、电源电压（最小值） 950 mV、电源电压（最大值） 1.05 V、工作电源电压 1 V、逻辑单元数 76800 LE，采用 FBGA-484 封装。XC7S75-1FGGA676Q
AMD / Xilinx · 封装：FBGA-676
该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括嵌入式存储容量 3.16 Mbit、输入／输出数 400 个输入／输出、电源电压（最小值） 1 V、电源电压（最大值） 1 V、工作电源电压 1 V、逻辑单元数 76800 LE，采用 FBGA-676 封装。XC7S75-1FGGA676I
AMD / Xilinx · 封装：FBGA-676
该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括嵌入式存储容量 3.16 Mbit、输入／输出数 400 个输入／输出、电源电压（最小值） 950 mV、电源电压（最大值） 1.05 V、工作电源电压 1 V、逻辑单元数 76800 LE，采用 FBGA-676 封装。XC7S75-1FGGA676C
AMD / Xilinx · 封装：FBGA-676
该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括嵌入式存储容量 3.16 Mbit、输入／输出数 400 个输入／输出、电源电压（最小值） 950 mV、电源电压（最大值） 1.05 V、工作电源电压 1 V、逻辑单元数 76800 LE，采用 FBGA-676 封装。XC7S75-1FGGA484Q
AMD / Xilinx · 封装：FBGA-484
该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括嵌入式存储容量 3.16 Mbit、输入／输出数 338 个输入／输出、电源电压（最小值） 1 V、电源电压（最大值） 1 V、工作电源电压 1 V、逻辑单元数 76800 LE，采用 FBGA-484 封装。XC7S75-1FGGA484I
AMD / Xilinx · 封装：FBGA-484
该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括嵌入式存储容量 3.16 Mbit、输入／输出数 338 个输入／输出、电源电压（最小值） 950 mV、电源电压（最大值） 1.05 V、工作电源电压 1 V、逻辑单元数 76800 LE，采用 FBGA-484 封装。XC7S75-1FGGA484C
AMD / Xilinx · 封装：FBGA-484
该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括嵌入式存储容量 3.16 Mbit、输入／输出数 338 个输入／输出、电源电压（最小值） 950 mV、电源电压（最大值） 1.05 V、工作电源电压 1 V、逻辑单元数 76800 LE，采用 FBGA-484 封装。XC7S6-L1CSGA225I
AMD / Xilinx · 封装：CSBGA-225
该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括嵌入式存储容量 180 kbit、输入／输出数 100 个输入／输出、电源电压（最小值） 1 V、电源电压（最大值） 1 V、工作电源电压 1 V、逻辑单元数 6000 LE，采用 CSBGA-225 封装。XC7S6-L1CPGA196I
AMD / Xilinx · 封装：CSBGA-196
该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括嵌入式存储容量 180 kbit、输入／输出数 100 个输入／输出、电源电压（最小值） 1 V、电源电压（最大值） 1 V、工作电源电压 1 V、逻辑单元数 6000 LE，采用 CSBGA-196 封装。XC7S6-2FTGB196I
AMD / Xilinx · 封装：CSBGA-196
该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括嵌入式存储容量 180 kbit、输入／输出数 100 个输入／输出、电源电压（最小值） 950 mV、电源电压（最大值） 1.05 V、工作电源电压 1 V、逻辑单元数 6000 LE，采用 CSBGA-196 封装。XC7S6-2FTGB196C
AMD / Xilinx · 封装：CSBGA-196
该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括嵌入式存储容量 180 kbit、输入／输出数 100 个输入／输出、电源电压（最小值） 950 mV、电源电压（最大值） 1.05 V、工作电源电压 1 V、逻辑单元数 6000 LE，采用 CSBGA-196 封装。XC7S6-2CSGA225I
AMD / Xilinx · 封装：CSBGA-225
该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括嵌入式存储容量 180 kbit、输入／输出数 100 个输入／输出、电源电压（最小值） 950 mV、电源电压（最大值） 1.05 V、工作电源电压 1 V、逻辑单元数 6000 LE，采用 CSBGA-225 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。