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FPGA 与可编程逻辑

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XCKU3P-2SFVB784I

AMD / Xilinx · 封装：FBGA-784

该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括嵌入式存储容量 12.7 Mbit、输入／输出数 320 个输入／输出、电源电压（最小值） 850 mV、电源电压（最大值） 850 mV、工作电源电压 850 mV、数据速率 12.5 Gb/s，采用 FBGA-784 封装。
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XCKU3P-2SFVB784E

AMD / Xilinx · 封装：FBGA-784

该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括嵌入式存储容量 12.7 Mbit、输入／输出数 320 个输入／输出、电源电压（最小值） 850 mV、电源电压（最大值） 850 mV、工作电源电压 850 mV、数据速率 12.5 Gb/s，采用 FBGA-784 封装。
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XCKU3P-2FFVD900I

AMD / Xilinx · 封装：FBGA-900

该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括嵌入式存储容量 12.7 Mbit、输入／输出数 320 个输入／输出、电源电压（最小值） 850 mV、电源电压（最大值） 850 mV、工作电源电压 850 mV、数据速率 16.3 Gb/s，采用 FBGA-900 封装。
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XCKU3P-2FFVD900E

AMD / Xilinx · 封装：FBGA-900

该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括嵌入式存储容量 12.7 Mbit、输入／输出数 304 个输入／输出、电源电压（最小值） 825 mV、电源电压（最大值） 876 mV、工作电源电压 850 mV、数据速率 16.3 Gb/s，采用 FBGA-900 封装。
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XCKU3P-2FFVB676I

AMD / Xilinx · 封装：FBGA-676

该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括嵌入式存储容量 12.7 Mbit、输入／输出数 272 个输入／输出、电源电压（最小值） 850 mV、电源电压（最大值） 850 mV、工作电源电压 850 mV、数据速率 16.3 Gb/s，采用 FBGA-676 封装。
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XCKU3P-2FFVB676E

AMD / Xilinx · 封装：FBGA-676

该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括嵌入式存储容量 12.7 Mbit、输入／输出数 272 个输入／输出、电源电压（最小值） 850 mV、电源电压（最大值） 850 mV、工作电源电压 850 mV、数据速率 16.3 Gb/s，采用 FBGA-676 封装。
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XCKU3P-2FFVA676I

AMD / Xilinx · 封装：FBGA-676

该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括嵌入式存储容量 12.7 Mbit、输入／输出数 272 个输入／输出、电源电压（最小值） 850 mV、电源电压（最大值） 850 mV、工作电源电压 850 mV、数据速率 16.3 Gb/s，采用 FBGA-676 封装。
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XCKU3P-2FFVA676E

AMD / Xilinx · 封装：FBGA-676

该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括嵌入式存储容量 12.7 Mbit、输入／输出数 272 个输入／输出、电源电压（最小值） 850 mV、电源电压（最大值） 850 mV、工作电源电压 850 mV、数据速率 16.3 Gb/s，采用 FBGA-676 封装。
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XCKU3P-1SFVB784I

AMD / Xilinx · 封装：FBGA-784

该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括嵌入式存储容量 12.7 Mbit、输入／输出数 304 个输入／输出、电源电压（最小值） 825 mV、电源电压（最大值） 876 mV、工作电源电压 850 mV、数据速率 12.5 Gb/s，采用 FBGA-784 封装。
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XCKU3P-1SFVB784E

AMD / Xilinx · 封装：FBGA-784

该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括嵌入式存储容量 12.7 Mbit、输入／输出数 320 个输入／输出、电源电压（最小值） 850 mV、电源电压（最大值） 850 mV、工作电源电压 850 mV、数据速率 12.5 Gb/s，采用 FBGA-784 封装。
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XCKU3P-1FFVD900I

AMD / Xilinx · 封装：FBGA-900

该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括嵌入式存储容量 12.7 Mbit、输入／输出数 320 个输入／输出、电源电压（最小值） 850 mV、电源电压（最大值） 850 mV、工作电源电压 850 mV、数据速率 16.3 Gb/s，采用 FBGA-900 封装。
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XCKU3P-1FFVD900E

AMD / Xilinx · 封装：FBGA-900

该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括嵌入式存储容量 12.7 Mbit、输入／输出数 304 个输入／输出、电源电压（最小值） 825 mV、电源电压（最大值） 876 mV、工作电源电压 850 mV、数据速率 16.3 Gb/s，采用 FBGA-900 封装。
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XCKU3P-1FFVB676I

AMD / Xilinx · 封装：FBGA-676

该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括嵌入式存储容量 12.7 Mbit、输入／输出数 256 个输入／输出、电源电压（最小值） 825 mV、电源电压（最大值） 876 mV、工作电源电压 850 mV、数据速率 16.3 Gb/s，采用 FBGA-676 封装。
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XCKU3P-1FFVB676E

AMD / Xilinx · 封装：FBGA-676

该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括嵌入式存储容量 12.7 Mbit、输入／输出数 256 个输入／输出、电源电压（最小值） 825 mV、电源电压（最大值） 876 mV、工作电源电压 850 mV、数据速率 16.3 Gb/s，采用 FBGA-676 封装。
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XCKU3P-1FFVA676E

AMD / Xilinx · 封装：FBGA-676

该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括嵌入式存储容量 12.7 Mbit、输入／输出数 272 个输入／输出、电源电压（最小值） 850 mV、电源电压（最大值） 850 mV、工作电源电压 850 mV、数据速率 16.3 Gb/s，采用 FBGA-676 封装。
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XCKU19P-3FFVJ1760E

AMD / Xilinx · 封装：BGA-1760

该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括嵌入式存储容量 60.8 Mbit、输入／输出数 572 个输入／输出、电源电压（最小值） 900 mV、电源电压（最大值） 900 mV、工作电源电压 900 mV、数据速率 32.75 Gb/s，采用 BGA-1760 封装。
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XCKU19P-3FFVB2104E

AMD / Xilinx · 封装：BGA-2104

该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括嵌入式存储容量 60.8 Mbit、输入／输出数 572 个输入／输出、电源电压（最小值） 900 mV、电源电压（最大值） 900 mV、工作电源电压 900 mV、数据速率 32.75 Gb/s，采用 BGA-2104 封装。
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XCKU19P-2FFVJ1760I

AMD / Xilinx · 封装：BGA-1760

该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括嵌入式存储容量 60.8 Mbit、输入／输出数 572 个输入／输出、电源电压（最小值） 850 mV、电源电压（最大值） 850 mV、工作电源电压 850 mV、数据速率 32.75 Gb/s，采用 BGA-1760 封装。
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XCKU19P-2FFVJ1760E

AMD / Xilinx · 封装：BGA-1760

该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括嵌入式存储容量 60.8 Mbit、输入／输出数 572 个输入／输出、电源电压（最小值） 850 mV、电源电压（最大值） 850 mV、工作电源电压 850 mV、数据速率 32.75 Gb/s，采用 BGA-1760 封装。
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XCKU19P-2FFVB2104I

AMD / Xilinx · 封装：BGA-2104

该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括嵌入式存储容量 60.8 Mbit、输入／输出数 572 个输入／输出、电源电压（最小值） 850 mV、电源电压（最大值） 850 mV、工作电源电压 850 mV、数据速率 32.75 Gb/s，采用 BGA-2104 封装。
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