MIC4126YMME-TR
Microchip Technology · 封装：MSOP-8
主要参数包括技术 Si、产品 MOSFET Gate Drivers、湿敏性 是、型号别名 MIC4126YMME TR、单件重量 0.004938 oz，采用 MSOP-8 封装。电源管理与驱动
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型号列表
134,686 条型号记录MIC4420ZM-TR
Microchip Technology · 封装：SOIC-8
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 18 V、输出电流 6 A、技术 Si、类型 Low-Side、产品 MOSFET Gate Drivers，采用 SOIC-8 封装。MIC4420ZN
Microchip Technology · 封装：PDIP-8
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 18 V、输出电压 25 mV、输出电流 6 A、技术 Si、类型 Low-Side，采用 PDIP-8 封装。MIC4420ZT
Microchip Technology · 封装：TO-220
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 18 V、输出电流 6 A、技术 Si、类型 Low-Side、产品 MOSFET Gate Drivers，采用 TO-220 封装。MIC4421AYM
Microchip Technology · 封装：SOIC-8
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 18 V、输出电流 9 A、技术 Si、类型 Low-Side、产品 MOSFET Gate Drivers，采用 SOIC-8 封装。MIC4421AYM-TR
Microchip Technology · 封装：SOIC-8
主要参数包括技术 Si、产品 MOSFET Gate Drivers、湿敏性 是、型号别名 MIC4421AYM TR、单件重量 0.019048 oz，采用 SOIC-8 封装。MCP14A0455-E/SNVAO
Microchip Technology · 封装：SOIC-8
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 18 V、输出电流 4.5 A、技术 Si、逻辑类型 CMOS、产品 MOSFET Gate Drivers，采用 SOIC-8 封装。MCP14A0455T-E/MNYVAO
Microchip Technology · 封装：TDFN-8
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 18 V、输出电流 4.5 A、技术 Si、逻辑类型 CMOS、产品 MOSFET Gate Drivers，采用 TDFN-8 封装。MCP14A0455T-E/MSVAO
Microchip Technology · 封装：MSOP-8
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 18 V、输出电流 4.5 A、技术 Si、逻辑类型 CMOS、产品 MOSFET Gate Drivers，采用 MSOP-8 封装。NCP302155HMNTWG
onsemi
主要参数包括组装国家或地区 马来西亚、晶圆制造国家或地区 日本、原产国家或地区 日本。NCP302155LMNTWG
onsemi
主要参数包括组装国家或地区 马来西亚、晶圆制造国家或地区 日本、原产国家或地区 日本。LMG3411R150RWHR
Texas Instruments · 封装：VQFN-32
主要参数包括电源电压（最小值） 9.5 V、电源电压（最大值） 18 V、输出电流 12 A、技术 氮化镓（GaN）、类型 Half-Bridge、逻辑类型 CMOS，采用 VQFN-32 封装。DRV8323RSRGZRG4
Texas Instruments
主要参数包括原产国家或地区 菲律宾、湿敏性 是。DRV8714SQPHPRQ1
Texas Instruments · 封装：HTQFP-48
主要参数包括电源电压（最小值） 4.9 V、电源电压（最大值） 37 V、输出电压 250 mV to 12.5 V、输出电流 5 mA、技术 Si、类型 Half-Bridge，采用 HTQFP-48 封装。DRV8714SQRHARQ1
Texas Instruments · 封装：VQFN-40
主要参数包括电源电压（最小值） 4.9 V、电源电压（最大值） 37 V、技术 Si、类型 High-Side, Low-Side、产品 Half-Bridge Drivers、驱动器数 4 Driver，采用 VQFN-40 封装。DRV8714SQRVJRQ1
Texas Instruments · 封装：VQFN-56
主要参数包括电源电压（最小值） 4.9 V、电源电压（最大值） 37 V、输出电压 250 mV to 12.5 V、输出电流 5 mA、技术 Si、类型 High-Side, Low-Side，采用 VQFN-56 封装。ISO5852SDWRG4
Texas Instruments
主要参数包括原产国家或地区 马来西亚、湿敏性 是。LM2005DR
Texas Instruments · 封装：SOIC-8
主要参数包括电源电压（最小值） 9 V、电源电压（最大值） 18 V、输出电流 650 mA、技术 Si、类型 Half-Bridge、逻辑类型 CMOS, TTL，采用 SOIC-8 封装。LMG3411R050RWHT
Texas Instruments · 封装：VQFN-32
主要参数包括电源电压（最小值） 9.5 V、电源电压（最大值） 18 V、输出电压 5 V、输出电流 12 A、技术 氮化镓（GaN）、类型 Half-Bridge，采用 VQFN-32 封装。LMG3411R050RWHTG4
Texas Instruments
主要参数包括原产国家或地区 菲律宾、湿敏性 是。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。