Texas Instruments
LMG3411R050RWHT
主要参数包括电源电压（最小值） 9.5 V、电源电压（最大值） 18 V、输出电压 5 V、输出电流 12 A、技术 氮化镓（GaN）、类型 Half-Bridge，采用 VQFN-32 封装。
基本资料
查看数据手册 ↗- 品牌 / 制造商
- Texas Instruments
- 产品类别
- Gate Drivers
- 产品系列
- LMG3411R050
- 封装
- VQFN-32
- 安装方式
- 表面贴装（SMD/SMT）
- 包装方式
- 小卷盘
技术参数
20 项参数- 产品
- MOSFET Gate Drivers
- 类型
- Half-Bridge
- 驱动器数
- 1 Driver
- 输出数
- 1 Output
- 输出电流
- 12 A
- 电源电压范围
- 9.5～18 V
- 配置
- Non-Inverting
- 上升时间
- 2.9 ns
- 下降时间
- 26 ns
- 工作温度范围
- -40～125 °C
- 原产国家或地区
- 菲律宾
- 最大关断延迟时间
- 8.9 ns
展开更多参数（8 项）
- 最大导通延迟时间
- 5.2 ns
- 湿敏性
- 是
- 工作电源电流
- 23 mA
- 输出电压
- 5 V
- 漏源导通电阻（Rds On）
- 57 mOhms
- 技术
- 氮化镓（GaN）
- 商品名称
- 氮化镓（GaN）
- 单件重量
- 0.006642 oz
技术资料与历史库存、参考价供核对使用；当前供货、报价及交期请询价确认，参数相近不代表可直接替代。