LMG3427R030RQZR
Texas Instruments · 封装：VQFN-54
主要参数包括电源电压（最小值） 7.5 V、电源电压（最大值） 18 V、输出电压 5 V, - 14 V、输出电流 50 mA, 1 A、技术 氮化镓（GaN）、类型 Low-Side，采用 VQFN-54 封装。电源管理与驱动
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型号列表
134,686 条型号记录LMG3427R050RQZR
Texas Instruments · 封装：QFN-54
主要参数包括电源电压（最小值） 7.5 V、电源电压（最大值） 18 V、输出电压 4.75～5.25 V、技术 氮化镓（GaN）、配置 Non-Inverting、最小工作温度 - 40 C，采用 QFN-54 封装。LMG3522R030QRQSRQ1
Texas Instruments · 封装：VQFN-52
主要参数包括电源电压（最小值） 7.5 V、电源电压（最大值） 18 V、输出电流 50 mA、类型 High Side Switch、产品 Power Switch ICs、输出数 1 Output，采用 VQFN-52 封装。LMG3522R030QRQSTQ1
Texas Instruments · 封装：VQFN-52
主要参数包括技术 氮化镓（GaN）、上升时间 2.8 ns、下降时间 22 ns、最小工作温度 - 40 C、最大工作温度 + 150 C、组装国家或地区 菲律宾，采用 VQFN-52 封装。LMG3522R030RQSR
Texas Instruments · 封装：VQFN-52
主要参数包括电源电压（最小值） 7.5 V、电源电压（最大值） 18 V、输出电压 5 V、技术 Si、类型 Half-Bridge、产品 Driver ICs - Various，采用 VQFN-52 封装。LMG3522R030RQSRG4
Texas Instruments
主要参数包括原产国家或地区 菲律宾、湿敏性 是。LMG3522R050RQSR
Texas Instruments · 封装：VQFN-52
主要参数包括产品 GaN FET、最小工作温度 - 40 C、最大工作温度 + 125 C、原产国家或地区 菲律宾、输入电压（最大值） 18 V、输入电压（最小值） 7.5 V，采用 VQFN-52 封装。LMG3522R050RQST
Texas Instruments · 封装：VQFN-52
主要参数包括产品 GaN FET、最小工作温度 - 40 C、最大工作温度 + 125 C、原产国家或地区 菲律宾、输入电压（最大值） 18 V、输入电压（最小值） 7.5 V，采用 VQFN-52 封装。LMG3526R030RQSR
Texas Instruments · 封装：VQFN-52
主要参数包括技术 氮化镓（GaN）、上升时间 2.8 ns、下降时间 22 ns、最小工作温度 - 40 C、最大工作温度 + 125 C、湿敏性 是，采用 VQFN-52 封装。LMG3526R030RQST
Texas Instruments
主要参数包括技术 氮化镓（GaN）、上升时间 2.8 ns、下降时间 22 ns、最小工作温度 - 40 C、最大工作温度 + 125 C、晶圆制造国家或地区 美国。LMG3526R050RQSR
Texas Instruments · 封装：VQFN-52
主要参数包括产品 GaN FET、最小工作温度 - 40 C、最大工作温度 + 125 C、原产国家或地区 菲律宾、输入电压（最大值） 18 V、输入电压（最小值） 7.5 V，采用 VQFN-52 封装。LMG3526R050RQST
Texas Instruments · 封装：VQFN-52
主要参数包括产品 GaN FET、最小工作温度 - 40 C、最大工作温度 + 125 C、原产国家或地区 菲律宾、输入电压（最大值） 18 V、输入电压（最小值） 7.5 V，采用 VQFN-52 封装。LMG3527R030RQSR
Texas Instruments · 封装：VQFN-52
主要参数包括电源电压（最小值） 7.5 V、电源电压（最大值） 18 V、输出电压 4.75～5.25 V、类型 Half-Bridge、逻辑类型 CMOS、产品 Gate Drivers，采用 VQFN-52 封装。LMG3612REQR
Texas Instruments · 封装：VQFN-38
主要参数包括电源电压（最小值） 10 V、电源电压（最大值） 26 V、输出电流 23.34 A、类型 Driver、产品 Power Switch ICs、输出数 1 Output，采用 VQFN-38 封装。LMG3614REQR
Texas Instruments · 封装：VQFN-38
主要参数包括电源电压（最小值） 10 V、电源电压（最大值） 26 V、技术 氮化镓（GaN）、类型 Half-Bridge、产品 氮化镓场效应晶体管、驱动器数 1 Driver，采用 VQFN-38 封装。LMG3616REQR
Texas Instruments · 封装：VQFN-38
主要参数包括电源电压（最小值） 10 V、电源电压（最大值） 26 V、输出电流 5 A、类型 Driver、产品 Power Switch ICs、输出数 1 Output，采用 VQFN-38 封装。LMG3622REQR
Texas Instruments · 封装：VQFN-38
主要参数包括电源电压（最小值） 10 V、电源电压（最大值） 26 V、输出电流 3.25 A、类型 Driver、产品 Power Switch ICs、输出数 1 Output，采用 VQFN-38 封装。LMG3624REQR
Texas Instruments · 封装：VQFN-38
主要参数包括电源电压（最小值） 10 V、电源电压（最大值） 26 V、技术 氮化镓（GaN）、类型 Single、产品 Gate Drivers、驱动器数 1 Driver，采用 VQFN-38 封装。LMG3624YREQR
Texas Instruments · 封装：VQFN-38
主要参数包括电源电压（最小值） 10 V、电源电压（最大值） 26 V、技术 氮化镓（GaN）、产品 Gate Driver、驱动器数 1 Driver、输出数 1 Output，采用 VQFN-38 封装。LMG3624ZREQR
Texas Instruments · 封装：VQFN-38
主要参数包括电源电压（最小值） 10 V、电源电压（最大值） 26 V、技术 氮化镓（GaN）、类型 Low-Side、驱动器数 1 Driver、输出数 1 Output，采用 VQFN-38 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。