Texas Instruments
LMG3522R030QRQSTQ1
主要参数包括技术 氮化镓（GaN）、上升时间 2.8 ns、下降时间 22 ns、最小工作温度 - 40 C、最大工作温度 + 150 C、组装国家或地区 菲律宾，采用 VQFN-52 封装。
基本资料
查看数据手册 ↗- 品牌 / 制造商
- Texas Instruments
- 产品类别
- Gate Drivers
- 产品系列
- LMG3522R030
- 封装
- VQFN-52
- 安装方式
- 表面贴装（SMD/SMT）
- 包装方式
- 小卷盘
技术参数
9 项参数- 上升时间
- 2.8 ns
- 下降时间
- 22 ns
- 工作温度范围
- -40～150 °C
- 组装国家或地区
- 菲律宾
- 晶圆制造国家或地区
- 美国
- 原产国家或地区
- 菲律宾
- 湿敏性
- 是
- 漏源导通电阻（Rds On）
- 35 mOhms
- 技术
- 氮化镓（GaN）
技术资料与历史库存、参考价供核对使用；当前供货、报价及交期请询价确认，参数相近不代表可直接替代。