NCP402045MNTWG
onsemi · 封装：PQFN-31
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、输出电流 45 A、技术 Si、类型 High-Side、产品 MOSFET Drivers，采用 PQFN-31 封装。电源管理与驱动
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型号列表
134,686 条型号记录NCP4307AASNT1G
onsemi · 封装：TSOP-6
主要参数包括电源电压（最小值） 3.7 V、电源电压（最大值） 35 V、输出电压 3.8 V, 10 V、输出电流 2 A, 7 A、技术 Si、类型 High-Side，采用 TSOP-6 封装。NCP4307FASNT1G
onsemi · 封装：TSOP-6
主要参数包括电源电压（最小值） 3.7 V、电源电压（最大值） 35 V、输出电压 3.8 V, 10 V、输出电流 2 A, 7 A、技术 Si、类型 High-Side，采用 TSOP-6 封装。NCP4307WASNT1G
onsemi · 封装：TSOP-6
主要参数包括电源电压（最小值） 3.7 V、电源电压（最大值） 35 V、输出电压 3.8 V, 10 V、输出电流 2 A, 7 A、技术 Si、类型 High-Side，采用 TSOP-6 封装。NCP5104DR2G
onsemi · 封装：SOIC-8
主要参数包括电源电压（最小值） - 300 mV、电源电压（最大值） 20 V、输出电压 700 mV、输出电流 500 mA、技术 Si、类型 Half-Bridge，采用 SOIC-8 封装。NCP5106ADR2G
onsemi · 封装：SOIC-8
主要参数包括电源电压（最小值） - 300 mV、电源电压（最大值） 20 V、输出电流 500 mA、技术 Si、类型 Half-Bridge、产品 IGBT, MOSFET Gate Drivers，采用 SOIC-8 封装。NCP5109BDR2G
onsemi · 封装：SOIC-8
主要参数包括电源电压（最小值） - 300 mV、电源电压（最大值） 20 V、输出电流 500 mA、技术 Si、类型 Half-Bridge、逻辑类型 CMOS，采用 SOIC-8 封装。DRV8323SRTARG4
Texas Instruments
主要参数包括原产国家或地区 菲律宾。DRV8328ARUYR
Texas Instruments · 封装：WQFN-28
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 60 V、输出电压 250 mV to 5.25 V、输出电流 2 A、类型 High-Side, Low-Side、产品 MOSFET Gate Drivers，采用 WQFN-28 封装。DRV8328BRUYR
Texas Instruments · 封装：WQFN-28
主要参数包括产品 Half-Bridge Drivers、最小工作温度 - 40 C、最大工作温度 + 150 C、原产国家或地区 中国、开发套件 DRV8328AEVM、湿敏性 是，采用 WQFN-28 封装。DRV8328CRUYR
Texas Instruments · 封装：WQFN-28
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 60 V、输出电流 1 A, 2 A、技术 Si、类型 High-Side, Low-Side、产品 Half-Bridge Drivers，采用 WQFN-28 封装。DRV8328DRUYR
Texas Instruments · 封装：WQFN-28
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 60 V、输出电流 1 A, 2 A、技术 Si、类型 High-Side, Low-Side、产品 Half-Bridge Drivers，采用 WQFN-28 封装。DRV8334EPHPRQ1
Texas Instruments · 封装：HTQFP-48
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 60 V、技术 Si、类型 Half-Bridge、产品 Gate Drivers、输出数 1 Output，采用 HTQFP-48 封装。DRV8334QPHPRQ1
Texas Instruments · 封装：HTQFP-48
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 60 V、类型 Half-Bridge、产品 Gate Drivers、驱动器数 6 Driver、最小工作温度 - 40 C，采用 HTQFP-48 封装。DRV8350HRTVTG4
Texas Instruments
主要参数包括湿敏性 是。DRV8350SRTVRG4
Texas Instruments
主要参数包括湿敏性 是。DRV8353FHRTAR
Texas Instruments · 封装：WQFN-40
主要参数包括电源电压（最小值） 9 V、电源电压（最大值） 100 V、输出电流 1 A、技术 Si、类型 High-Side, Low-Side、产品 Half-Bridge Drivers，采用 WQFN-40 封装。DRV8353FSRTAR
Texas Instruments · 封装：WQFN-40
主要参数包括电源电压（最小值） 9 V、电源电压（最大值） 100 V、输出电流 1 A、技术 Si、类型 High-Side, Low-Side、产品 Half-Bridge Drivers，采用 WQFN-40 封装。DRV8353FSRTARG4
Texas Instruments
Gate Drivers 102-V max 3-phase Fu nctional Safety QuaDRV8353HMRTAT
Texas Instruments · 封装：WQFN-40
主要参数包括电源电压（最小值） 9 V、电源电压（最大值） 100 V、输出电流 1 A、类型 High-Side, Low-Side、产品 Half-Bridge Drivers、驱动器数 6 Driver，采用 WQFN-40 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。