onsemi
NCP5109BDR2G
主要参数包括电源电压（最小值） - 300 mV、电源电压（最大值） 20 V、输出电流 500 mA、技术 Si、类型 Half-Bridge、逻辑类型 CMOS，采用 SOIC-8 封装。
基本资料
查看数据手册 ↗- 品牌 / 制造商
- onsemi
- 产品类别
- Gate Drivers
- 产品系列
- NCP5109
- 封装
- SOIC-8
- 安装方式
- 表面贴装（SMD/SMT）
- 包装方式
- 小卷盘
技术参数
17 项参数- 产品
- IGBT, MOSFET Gate Drivers
- 类型
- Half-Bridge
- 驱动器数
- 2 Driver
- 输出数
- 2 Output
- 输出电流
- 500 mA
- 电源电压（最小值）
- - 300 mV
- 电源电压（最大值）
- 20 V
- 上升时间
- 85 ns
- 下降时间
- 35 ns
- 最大工作温度
- + 150 C
- 原产国家或地区
- 菲律宾
- 逻辑类型
- CMOS
展开更多参数（5 项）
- 最大关断延迟时间
- 170 ns
- 最大导通延迟时间
- 170 ns
- 关断功能
- Shutdown
- 技术
- Si
- 单件重量
- 0.002534 oz
技术资料与历史库存、参考价供核对使用；当前供货、报价及交期请询价确认，参数相近不代表可直接替代。