MC34152DG
onsemi · 封装：SOIC-8
主要参数包括电源电压（最小值） 6.1 V、电源电压（最大值） 18 V、输出电流 1.5 A、技术 Si、逻辑类型 CMOS, LSTTL、产品 MOSFET Gate Drivers，采用 SOIC-8 封装。电源管理与驱动
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型号列表
134,686 条型号记录MC34152DR2G
onsemi · 封装：SOIC-8
主要参数包括电源电压（最小值） 6.1 V、电源电压（最大值） 18 V、输出电流 1.5 A、技术 Si、逻辑类型 CMOS, LSTTL、产品 MOSFET Gate Drivers，采用 SOIC-8 封装。NCD5701BDR2G
onsemi · 封装：SOIC-8
主要参数包括电源电压（最小值） 20 V、电源电压（最大值） 30 V、输出电压 800 mV, 14.1 V、输出电流 4 A、技术 Si、类型 Half-Bridge，采用 SOIC-8 封装。NCD5701CDR2G
onsemi · 封装：SOIC-8
主要参数包括电源电压（最小值） 20 V、电源电压（最大值） 30 V、输出电压 800 mV, 14.1 V、输出电流 4 A、技术 Si、类型 Half-Bridge，采用 SOIC-8 封装。NCD5702DR2G
onsemi · 封装：SOIC-16
主要参数包括电源电压（最小值） 20 V、电源电压（最大值） 30 V、输出电流 4 A、技术 Si、类型 Half-Bridge、产品 IGBT, MOSFET Gate Drivers，采用 SOIC-16 封装。NCD5703ADR2G
onsemi · 封装：SOIC-8
主要参数包括电源电压（最小值） 20 V、电源电压（最大值） 30 V、输出电压 5 V、输出电流 4 A、技术 Si、类型 Half-Bridge，采用 SOIC-8 封装。NCD5703BDR2G
onsemi · 封装：SOIC-8
主要参数包括电源电压（最小值） 20 V、电源电压（最大值） 30 V、输出电压 5 V、输出电流 4 A、技术 Si、类型 Half-Bridge，采用 SOIC-8 封装。NCD5703CDR2G
onsemi · 封装：SOIC-8
主要参数包括电源电压（最小值） 20 V、电源电压（最大值） 30 V、输出电压 5 V、输出电流 4 A、技术 Si、类型 Half-Bridge，采用 SOIC-8 封装。NCD5705BDR2G
onsemi
主要参数包括电源电压（最小值） 20 V、电源电压（最大值） 30 V、输出电流 4 A、类型 Half-Bridge、产品 IGBT, MOSFET Gate Drivers、驱动器数 1 Driver。NCD57090ADWR2G
onsemi · 封装：SOIC-8
主要参数包括电源电压（最小值） 20 V、电源电压（最大值） 20 V、输出电流 6.5 A、产品 IGBT, MOSFET Gate Drivers、驱动器数 1 Driver、输出数 1 Output，采用 SOIC-8 封装。NCD57090DDWR2G
onsemi · 封装：SOIC-8
主要参数包括原产国家或地区 菲律宾，采用 SOIC-8 封装。NCD57090EDWR2G
onsemi · 封装：SOIC-8
主要参数包括原产国家或地区 菲律宾，采用 SOIC-8 封装。NCP1392DDR2G
onsemi · 封装：SOIC-8
主要参数包括电源电压（最小值） 8 V、电源电压（最大值） 16 V、输出电流 1 A、技术 Si、类型 High-Side, Low-Side、产品 Half-Bridge Drivers，采用 SOIC-8 封装。NCP1393BDR2G
onsemi · 封装：SOIC-8
主要参数包括电源电压（最小值） 8 V、电源电压（最大值） 16 V、输出电流 1 A、技术 Si、类型 High-Side, Low-Side、产品 Half-Bridge Drivers，采用 SOIC-8 封装。NCP302045MNTWG
onsemi · 封装：PQFN-31
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、输出电流 45 A、技术 Si、类型 High-Side, Low-Side、产品 MOSFET Gate Drivers，采用 PQFN-31 封装。NCP302045SMNTWG
onsemi
主要参数包括原产国家或地区 马来西亚。NCP302150MNTWG
onsemi · 封装：PQFN-31
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、输出电流 45 A、技术 Si、类型 High-Side, Low-Side、产品 MOSFET Gate Drivers，采用 PQFN-31 封装。NCP303152MNTWG
onsemi
主要参数包括原产国家或地区 TH。NCP303160AMNTWG
onsemi · 封装：PQFN-39
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、输出电流 60 A、技术 Si、类型 High-Side、产品 MOSFET Drivers，采用 PQFN-39 封装。NCP3420DR2G
onsemi · 封装：SOIC-8
主要参数包括电源电压（最小值） 4.6 V、电源电压（最大值） 13.2 V、技术 Si、类型 High-Side, Low-Side、产品 MOSFET Gate Drivers、驱动器数 2 Driver，采用 SOIC-8 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。