onsemi
NCD5702DR2G
主要参数包括电源电压（最小值） 20 V、电源电压（最大值） 30 V、输出电流 4 A、技术 Si、类型 Half-Bridge、产品 IGBT, MOSFET Gate Drivers，采用 SOIC-16 封装。
基本资料
查看数据手册 ↗- 品牌 / 制造商
- onsemi
- 产品类别
- Gate Drivers
- 产品系列
- NCD5702
- 封装
- SOIC-16
- 安装方式
- 表面贴装（SMD/SMT）
- 包装方式
- 小卷盘
技术参数
17 项参数- 产品
- IGBT, MOSFET Gate Drivers
- 类型
- Half-Bridge
- 驱动器数
- 1 Driver
- 输出数
- 1 Output
- 输出电流
- 4 A
- 电源电压范围
- 20～30 V
- 上升时间
- 9.2 ns
- 下降时间
- 7.9 ns
- 工作温度范围
- -40～125 °C
- 原产国家或地区
- 菲律宾
- 最大关断延迟时间
- 75 ns
- 最大导通延迟时间
- 75 ns
展开更多参数（5 项）
- 工作电源电流
- 900 uA
- 耗散功率（Pd）
- 900 mW
- 传播延迟（最大值）
- 75 ns
- 关断功能
- Shutdown
- 技术
- Si
技术资料与历史库存、参考价供核对使用；当前供货、报价及交期请询价确认，参数相近不代表可直接替代。