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电源管理与驱动

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134,686 条型号记录
每页 20 条

FAN7393AMX

onsemi · 封装：SOIC-14

主要参数包括电源电压（最小值） 10 V、电源电压（最大值） 20 V、输出电流 2.5 A、技术 Si、类型 Half-Bridge、产品 Gate Drivers，采用 SOIC-14 封装。
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FAN7842MX

onsemi · 封装：SOP-8

主要参数包括电源电压（最小值） 10 V、电源电压（最大值） 20 V、输出电流 650 mA、技术 Si、类型 Half-Bridge、逻辑类型 TTL，采用 SOP-8 封装。
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FDMF5062

onsemi · 封装：PQFN-39

主要参数包括电源电压（最小值） 5 V、电源电压（最大值） 12 V、输出电流 70 A、技术 Si、类型 High-Side、产品 MOSFET Gate Drivers，采用 PQFN-39 封装。
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FDMF5071

onsemi

主要参数包括电源电压（最小值） 5 V、电源电压（最大值） 12 V、输出电流 90 A、产品 MOSFET Gate Drivers、原产国家或地区 TH。
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FDMF5075

onsemi · 封装：PQFN-24

主要参数包括电源电压（最小值） 5 V、电源电压（最大值） 12 V、输出电流 20 A、产品 MOSFET Gate Drivers、配置 Non-Inverting、原产国家或地区 菲律宾，采用 PQFN-24 封装。
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FDMF8811

onsemi · 封装：PQFN-36

主要参数包括电源电压（最小值） 8 V、电源电压（最大值） 14 V、输出电流 20 A、技术 Si、类型 Full-Bridge、产品 MOSFET Gate Drivers，采用 PQFN-36 封装。
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FL3100TMPX

onsemi · 封装：MLP-6

主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 18 V、输出电流 2.5 A、技术 Si、类型 Low-Side、产品 MOSFET Gate Drivers，采用 MLP-6 封装。
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LV8968BBUWR2G

onsemi · 封装：SPQFP-48

主要参数包括电源电压（最小值） 8 V、电源电压（最大值） 28 V、输出电压 3.3 V, 5 V、输出电流 400 mA、类型 High-Side, Low-Side、产品 Half-Bridge Drivers，采用 SPQFP-48 封装。
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MC33151DG

onsemi · 封装：SOIC-8

主要参数包括电源电压（最小值） 6.5 V、电源电压（最大值） 18 V、输出电流 1.5 A、技术 Si、逻辑类型 CMOS, LSTTL、产品 MOSFET Gate Drivers，采用 SOIC-8 封装。
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MC33151DR2G

onsemi · 封装：SOIC-8

主要参数包括电源电压（最小值） 6.5 V、电源电压（最大值） 18 V、输出电流 1.5 A、技术 Si、逻辑类型 CMOS, LSTTL、产品 MOSFET Gate Drivers，采用 SOIC-8 封装。
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MC33151PG

onsemi · 封装：PDIP-8

主要参数包括电源电压（最小值） 6.5 V、电源电压（最大值） 18 V、输出电流 1.5 A、技术 Si、逻辑类型 CMOS, LSTTL、产品 MOSFET Gate Drivers，采用 PDIP-8 封装。
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MC33151VDR2G

onsemi · 封装：SOIC-8

主要参数包括电源电压（最小值） 6.5 V、电源电压（最大值） 18 V、输出电流 1.5 A、技术 Si、逻辑类型 CMOS, LSTTL、产品 MOSFET Gate Drivers，采用 SOIC-8 封装。
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MC33152DG

onsemi · 封装：SOIC-8

主要参数包括电源电压（最小值） 6.1 V、电源电压（最大值） 18 V、输出电流 1.5 A、技术 Si、逻辑类型 CMOS, LSTTL、产品 MOSFET Gate Drivers，采用 SOIC-8 封装。
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MC33152DR2G

onsemi · 封装：SOIC-8

主要参数包括电源电压（最小值） 6.1 V、电源电压（最大值） 18 V、输出电流 1.5 A、技术 Si、逻辑类型 CMOS, TTL、产品 MOSFET Gate Drivers，采用 SOIC-8 封装。
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MC33152PG

onsemi · 封装：PDIP-8

主要参数包括电源电压（最小值） 6.1 V、电源电压（最大值） 18 V、输出电流 1.5 A、技术 Si、逻辑类型 CMOS, LSTTL、产品 MOSFET Gate Drivers，采用 PDIP-8 封装。
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MC34151DG

onsemi · 封装：SOIC-8

主要参数包括电源电压（最小值） 6.5 V、电源电压（最大值） 18 V、输出电流 1.5 A、技术 Si、逻辑类型 CMOS, LSTTL、产品 MOSFET Gate Drivers，采用 SOIC-8 封装。
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MC34151DR2G

onsemi · 封装：SOIC-8

主要参数包括电源电压（最小值） 6.5 V、电源电压（最大值） 18 V、输出电流 1.5 A、技术 Si、逻辑类型 CMOS, LSTTL、产品 MOSFET Gate Drivers，采用 SOIC-8 封装。
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