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onsemi

MC33151VDR2G

主要参数包括电源电压(最小值) 6.5 V、电源电压(最大值) 18 V、输出电流 1.5 A、技术 Si、逻辑类型 CMOS, LSTTL、产品 MOSFET Gate Drivers,采用 SOIC-8 封装。

基本资料

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品牌 / 制造商
onsemi
产品类别
Gate Drivers
产品系列
MC33151
封装
SOIC-8
安装方式
表面贴装(SMD/SMT)
包装方式
小卷盘

技术参数

16 项参数
产品
MOSFET Gate Drivers
驱动器数
2 Driver
输出数
2 Output
输出电流
1.5 A
电源电压范围
6.5~18 V
配置
Inverting
上升时间
15 ns
下降时间
15 ns
工作温度范围
-40~85 °C
晶圆制造国家或地区
CZ
原产国家或地区
菲律宾
逻辑类型
CMOS, LSTTL
展开更多参数(4 项)
工作电源电流
10.5 mA
耗散功率(Pd)
560 mW
技术
Si
单件重量
0.019048 oz

技术资料与历史库存、参考价供核对使用;当前供货、报价及交期请询价确认,参数相近不代表可直接替代。

MC33151VDR2G 技术参数与数据手册|ChipSourceHub 美芯科技