MAX4820EUP+
Maxim Integrated · 封装：TSSOP-20
主要参数包括电源电压（最小值） 2.3 V、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 2.3～5.5 V、输出电压 0.4 V、输出电流 70 mA、技术 Si，采用 TSSOP-20 封装。电源管理与驱动
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型号列表
134,686 条型号记录TC4469COE
Microchip Technology · 封装：SOIC-16
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 18 V、工作电源电压 4.5～18 V、技术 Si、类型 Low Side、产品 MOSFET Gate Drivers，采用 SOIC-16 封装。MAX4820ETP+T
Maxim Integrated
主要参数包括电源电压（最小值） 2.3 V、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 3 V, 5 V、输出电流 70 mA、技术 Si、类型 Non-Inverting。VN340SP-E
STMicroelectronics · 封装：SOP-10
主要参数包括技术 Si、类型 High Side、高度 3.65 mm、长度 9.5 mm、宽度 7.6 mm、湿敏性 是，采用 SOP-10 封装。IXDN630YI
IXYS Integrated Circuits · 封装：TO-263-5
主要参数包括电源电压（最小值） 12.5 V、电源电压（最大值） 35 V、输出电压 12.5 V、输出电流 30 A、技术 Si、类型 Low Side，采用 TO-263-5 封装。MADR-009443-000100
MACOM · 封装：PQFN-EP-20
主要参数包括技术 Si、高度 0.9 mm、长度 4 mm、宽度 4 mm，采用 PQFN-EP-20 封装。L6226Q
STMicroelectronics · 封装：$0.756
主要参数包括电源电压（最小值） 8 V、技术 Si、类型 High Side, Low Side、逻辑类型 CMOS, TTL、产品 Half-Bridge Drivers、驱动器数 2 Driver，采用 $0.756 封装。MAX4821EUP+
Maxim Integrated · 封装：TSSOP-20
主要参数包括电源电压（最小值） 2.3 V、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 2.3～5.5 V、输出电压 0.4 V、输出电流 70 mA、技术 Si，采用 TSSOP-20 封装。UCC27523DR
Texas Instruments · 封装：SOIC-8
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 18 V、工作电源电压 4.5～18 V、输出电流 5 A、工作温度范围 - 40 C to + 140 C、技术 Si，采用 SOIC-8 封装。VNN3NV04PTR-E
STMicroelectronics · 封装：SOT-223
主要参数包括电源电压（最小值） 2.5 V、电源电压（最大值） 55 V、输出电流 3.5 A、工作温度范围 - 40 C to + 150 C、技术 Si、类型 Low Side，采用 SOT-223 封装。IR21844SPBF
Infineon Technologies · 封装：SOIC-14
主要参数包括电源电压（最小值） 10 V、电源电压（最大值） 20 V、工作电源电压 10～20 V、输出电流 1.9 A、技术 Si、类型 Half-Bridge，采用 SOIC-14 封装。FAN3224CMX
ON Semiconductor / Fairchild · 封装：SOIC-8
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 18 V、工作电源电压 12 V、输出电流 5 A、技术 Si、类型 Low Side，采用 SOIC-8 封装。VN5016AJ-E
STMicroelectronics · 封装：PowerSSO-12
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 41 V、工作电源电压 13 V、输出电流 40 A、技术 Si、类型 High Side，采用 PowerSSO-12 封装。TC4427COA713
Microchip Technology · 封装：SOIC-8
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 18 V、工作电源电压 4.5～18 V、技术 Si、类型 Low Side、逻辑类型 CMOS, TTL，采用 SOIC-8 封装。AUIRS2301STR
Infineon / IR · 封装：SOIC-8
主要参数包括电源电压（最小值） 5 V、电源电压（最大值） 20 V、输出电流 200 mA、技术 Si、类型 High Side, Low Side、逻辑类型 CMOS, TTL，采用 SOIC-8 封装。IXDN630CI
IXYS Integrated Circuits · 封装：TO-220-5
主要参数包括电源电压（最小值） 12.5 V、电源电压（最大值） 35 V、输出电压 12.5 V、输出电流 30 A、技术 Si、类型 Low Side，采用 TO-220-5 封装。IR2010STRPBF
Infineon Technologies · 封装：SOIC-16
主要参数包括电源电压（最小值） 10 V、电源电压（最大值） 20 V、输出电流 3 A、技术 Si、类型 High Side, Low Side、逻辑类型 CMOS, TTL，采用 SOIC-16 封装。SI8261BBC-C-IS
Silicon Labs · 封装：SOIC-8
主要参数包括电源电压（最小值） 5 V、电源电压（最大值） 30 V、输出电压 0.25 V、输出电流 4 A、技术 Si、类型 Inverting，采用 SOIC-8 封装。IXDD630CI
IXYS Integrated Circuits · 封装：TO-220-5
主要参数包括电源电压（最小值） 12.5 V、电源电压（最大值） 35 V、输出电压 12.5 V、输出电流 30 A、技术 Si、类型 Low Side，采用 TO-220-5 封装。ADUM3221ARZ
Analog Devices · 封装：SOIC-8
主要参数包括电源电压（最小值） 3.3 V、电源电压（最大值） 5 V、输出电流 4.7 mA、技术 Si、产品 Isolated Gate Drivers、工作电源电流 700 A，采用 SOIC-8 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。